[发明专利]一种太阳能电池在审
| 申请号: | 201510442617.3 | 申请日: | 2015-07-24 |
| 公开(公告)号: | CN106653876A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
| 发明(设计)人: | 陈伟文;尤宇文;宋广华 | 申请(专利权)人: | 钧石(中国)能源有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0747 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 362000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种太阳能电池。
背景技术
随着光伏产业的迅速发展,市场迫切需求一种工艺流程简单、光电转化效率高的太阳能电池产业化制备技术来降低光伏发电成本,使光伏发电成本达到与市电同价或低于市电价格的目标。
晶硅异质结太阳能电池是通过在晶体硅衬底上生长非晶硅薄层而形成PN结,即发射极的异质结电池,具有结构简单、工艺温度低、转换效率高、温度特性好的特点,是适合于大规模推广应用的高效太阳能电池之一,具有很好的发展前景。
当前,银浆丝网印刷技术是实现太阳能电池顶部栅线电极的首选。对于传统晶硅太阳能电池,其丝网印刷技术是采用高温银浆,通过高温(约850℃)烧结使得银栅线与硅表面形成合金层,这样保证了银线与电池片表面的的附着力,但是异质结太阳能电池的工艺温度不超过250℃,所以只能使用低温银浆来满足工艺要求,但用低温银浆印刷后的栅线在~200℃固化后,其未与覆盖于非晶硅膜层上的透明导电膜发生物理或化学反应,导致两者之间的结合力差,此会导致后续电池片串焊及组件封装的问题。另外,通过丝网印刷技术形成的银栅 线电极一般导电性不好,且线宽难以做到<80μm以增加有效吸光面积,这为提高电池片的光电转换效率带来困难。另外,异质结电池片的特点之一是背面采用密栅线,其栅线密度是受光面的2-3倍,因此银的用量过多会显著增加电池片的制造成本。使用丝网印刷技术,需要分别印刷电池片的顶部与背部,顶部印刷完成后,还要经过低温烘烤,待栅线固化后,再翻面进行背部的印刷,这样增加了工艺的复杂性,且铜栅线电极受污染氧化影像电池性能。
发明内容
本发明的目的在于克服现有太阳能电池技术中存在的问题,提供一种太阳能电池,其太阳能转换率高、制造成本低。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:一种太阳能电池,其特征在于,包括:N型单晶硅片;设在N型单晶硅片受光面和背光面的本征非晶硅钝化层;设在N型单晶硅片受光面本征非晶硅钝化层上的P型掺杂非晶硅层;设在N型单晶硅片背光面本征非晶硅钝化层上的N型掺杂非晶硅层;设在P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层上的透明导电膜层;设在P型掺杂非晶硅层的透明导电膜层上的铜栅线电极;设在N型掺杂非晶硅层的透明导电膜层上的铜栅线电极;所述铜栅线电极的表面包覆锡层。
优选的,所述设在P型掺杂非晶硅层的透明导电膜层上的铜栅线电极与设在N型掺杂非晶硅层的透明导电膜层上的铜栅线电极一次性同时形成。
优选的,所述铜栅线电极的表面包覆锡层是通过在化学镀锡溶液中浸没的方式完成,所述化学镀锡溶液是碱性溶液。
优选的,所述锡层的厚度为0.2-0.6μm。
本发明采用以上技术方案,在电池片顶部与背部的铜栅线电极的表面完全包覆化学镀锡层,可防止铜栅线电极在空气中放置时间长被氧化,又可以作为助焊层连接主栅与焊带,并增强两者之间的附着力。铜栅线电极表面完全包覆的锡层是在碱性化学镀锡溶液中通过浸没的方式一次同时形成,所述化学镀锡溶液不腐蚀透明导电膜层。
附图说明
图1为本发明的一种太阳能电池示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明专利,并不用于限定本发明。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于钧石(中国)能源有限公司,未经钧石(中国)能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510442617.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





