[发明专利]一种卷积交织方法和卷积交织器

摘要

本发明公开了一种卷积交织方法和装置，包括：将卷积交织的每一个支路在SDRAM中的地址偏移初始化为B‑1；进行卷积交织时：将卷积交织的每一个支路的初始化地址加上该支路的当前地址偏移，作为该支路的数据在SDRAM中的实际存取地址；当所述卷积交织中的第i支路在SDRAM中的地址偏移等于(i‑1)×M时，将该第i支路的地址偏移复位为B‑1；其中，B为所述卷积交织的总支路数，i为大于等于2且小于等于B的正整数，M为所述卷积交织的交织深度。本发明实现了卷积交织过程中各个支路之间较低的地址跳变，大大减少了在SDRAM中访问数据时地址的跨区间跳变，进而实现高效的时域卷积交织，处理一个超帧所用的时钟周期明显减少，对比现有设计，提升吞吐率可达到64％。

主权项

1.一种卷积交织方法，用于SDRAM存储器，该方法包括：将卷积交织的每一个支路在SDRAM中的地址偏移初始化为B‑1；进行卷积交织时：将所述卷积交织的每一个支路的初始化地址加上该支路的当前地址偏移，作为该支路的数据在SDRAM中的实际存取地址；当所述卷积交织中的第i支路在SDRAM中的地址偏移等于(i‑1)×M时，将该第i支路的地址偏移复位为B‑1；其中，B为所述卷积交织的总支路数，i为大于等于2且小于等于B的正整数，M为所述卷积交织的交织深度；其中，所述卷积交织的每一个支路在SDRAM中的初始化地址和地址偏移通过一上三角寄存器组、一偏移地址寄存器组和一列地址寄存器组获得；其中，所述上三角寄存器组包括B‑1行和B‑1列寄存器，所述上三角寄存器的第i列寄存器对应于所述卷积交织中的第i支路，所述上三角寄存器的第1行寄存器为输出寄存器，所述上三角寄存器的第一行寄存器和主对角线上的寄存器初始化为“1”，其余寄存器均初始化为“0”；在所述卷积交织过程中，每当所述卷积交织中的第i支路在SDRAM中的实际存取地址达到(i‑1)×M时，所述上三角寄存器的第i列寄存器的数据向上移位一次，且第i列寄存器中的最上端寄存器的数据移位至最下端寄存器中；所述偏移地址寄存器组由B‑1个偏移地址寄存器组成，其中第i偏移地址寄存器对应卷积交织中的第i支路，所有B‑1个偏移地址寄存器的值全部初始化为B‑1；每当完成一次卷积交织中的第i支路数据的操作后，第i偏移地址寄存器的值减1，当卷积交织中的第i支路对应的列地址寄存器组的第i列地址寄存器的值为(i‑1)×M，且所述上三角寄存器组的第i列中的输出寄存器的值为1时，将第i偏移地址寄存器的值复位为B‑1；所述列地址寄存器组由B‑1个列地址寄存器组成，其中第i列地址寄存器对应卷积交织中的第i支路，所述列地址寄存器组中第i列地址寄存器的值初始化为i‑1；每当完成一次卷积交织中的第i支路数据的操作后，将第i列地址寄存器的值和第i偏移地址寄存器的值相加，并将相加后的数值更新到第i列地址寄存器中，进而将更新后的第i列地址寄存器的值作为第i支路的数据在SDRAM中的实际存取地址。