[发明专利]一种形成NMOS晶体管装置的锗通道层、NMOS晶体管装置和CMOS装置的方法有效
| 申请号： | 201510435539.4 | 申请日： | 2015-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN105304494B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | J·米塔德;R·鲁;L·维特斯 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 余颖;江磊 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成用于NMOS晶体管装置的锗通道层的方法，该方法包括：a.提供具有侧壁的沟槽，所述侧壁由介电材料结构限定并邻接硅基材的表面；b.在所述表面上的所述沟槽中种植晶种层，所述晶种层具有前表面，所述前表面包含具有(111)取向的分面；c.在所述沟槽中的所述晶种层上种植应变弛豫缓冲层，所述应变弛豫缓冲层包含硅锗；d.在所述应变弛豫缓冲层上种植包含锗(Ge)的通道层；以及相关NMOS晶体管装置和CMOS装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 nmos 晶体管 装置 通道 cmos 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成晶体管装置的方法，所述方法包括：提供具有侧壁的沟槽，所述侧壁由介电材料结构限定并邻接硅基材的表面；在所述表面上的沟槽中种植晶种层，所述晶种层具有前表面，所述前表面包含具有(111)取向的分面；在所述晶种层上且所述沟槽中种植应变弛豫缓冲(SRB)层，所述应变弛豫缓冲层包含硅锗(SiGe)；和在所述应变弛豫缓冲层上种植应变锗通道层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于IMEC非营利协会，未经IMEC非营利协会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510435539.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种提高半导体器件性能的方法
- 下一篇：绝缘膜的蚀刻方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
