[发明专利]分布式III族氮化物发光半导体的EMC金属接合装置及封装方法有效
申请号: | 201510430282.3 | 申请日: | 2015-07-21 |
公开(公告)号: | CN104993033B | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 卢杨;张月强 | 申请(专利权)人: | 福建天电光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L25/075 |
代理公司: | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人: | 廉红果 |
地址: | 362411 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供分布式III族氮化物发光半导体的EMC金属接合装置及封装方法,其可以根据需要的功率,对封装好的支架板进行剪切,且具有良好的散热性。该分布式III族氮化物发光半导体的EMC金属接合装置,包括EMC支架,所述支架表面有用于固晶的热沉片,LED芯片固定在热沉片上;在热沉片两侧设有电极金属片;LED芯片的两个电极通过引线分别连接到两侧的电极金属片。所有LED芯片的电极金属片排布在热沉片的两侧。 | ||
搜索关键词: | 分布式 氮化物 发光 半导体 emc 金属 接合 装置 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种分布式III族氮化物发光半导体的EMC金属接合装置,包括EMC支架,其特征在于:所述支架表面有用于固晶的热沉片,LED芯片固定在热沉片上;在热沉片两侧设有电极金属片;LED芯片的两个电极通过引线分别连接到两侧的电极金属片;LED芯片在所述热沉片上错位分布;在所述热沉片的横向方向上的每个LED芯片的两侧,存在宽区域和窄区域,其中在宽区域上设有绝缘层。
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