[发明专利]分布式III族氮化物发光半导体的EMC金属接合装置及封装方法有效
申请号: | 201510430282.3 | 申请日: | 2015-07-21 |
公开(公告)号: | CN104993033B | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 卢杨;张月强 | 申请(专利权)人: | 福建天电光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L25/075 |
代理公司: | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人: | 廉红果 |
地址: | 362411 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分布式 氮化物 发光 半导体 emc 金属 接合 装置 封装 方法 | ||
本发明提供分布式III族氮化物发光半导体的EMC金属接合装置及封装方法,其可以根据需要的功率,对封装好的支架板进行剪切,且具有良好的散热性。该分布式III族氮化物发光半导体的EMC金属接合装置,包括EMC支架,所述支架表面有用于固晶的热沉片,LED芯片固定在热沉片上;在热沉片两侧设有电极金属片;LED芯片的两个电极通过引线分别连接到两侧的电极金属片。所有LED芯片的电极金属片排布在热沉片的两侧。
技术领域
本发明涉及一种LED发光器件的封装技术。
背景技术
陶瓷基板相对于金属基板具有成本更低、气密性好、可靠性高的特点,而且其也具有优良的导热性。目前普遍采用的陶瓷基板的材料是Al2O3或Al2O3+SiO2。陶瓷基板普遍用于采用CSP技术的大功率LED器件当中,这些高密度级的LED可以大幅度降低系统集成的成本,同时满足大功率器件的功率要求。小尺寸芯片的集成技术,最明显的优势是降低成本,同时,由于流经小尺寸芯片的电流较小,其内部结温也更低,且容易控制,芯片的稳定性较大尺寸芯片更高。采用COB封装的CSP技术是当前的技术发展的一个热点。但是共晶陶瓷基板技术一直都掌握在美日以及台湾大厂手里,例如台湾同欣,关键原料的技术缺失导致依赖进口的局面长期得不到解决,大陆封装企业缺失话语权,造成大陆厂家在价格谈判上处于不利地位,近几年,尽管荧光粉、硅胶等价格快速下降,但是关键的LED芯片和陶瓷基板却始终岿然不动,而封装器件的价格却在不断下降,造成大陆企业的利润不能得到保证,经营和发展受到阻碍,不利于大陆企业的良性循环和提升全球竞争力。
崛起中的EMC解决方案。EMC英文全称Epoxy Molding Compound(环氧树脂膜塑料,亦称热固性环氧树脂),是采用新的Epoxy材料和蚀刻技术在Molding设备的封装下的一种高度集成化的框架形式。
LED照明技术发展今天,由早期的单纯追求技术指标lm/w,到现在的追求性价比lm/$,共晶陶瓷基板的坚挺价格不符合行业发展趋势。提升lm/$最终表现在两点:第一是提升LED芯片能够承受的电流密度,提升单颗封装体的光通量并解决芯片在大电流使用下效率下降的问题;第二是缩小封装体积,降低封装的物料成本及制造成本。
EMC技术引起的材料和结构的变化,使封装器件具有高耐热、抗UV、高度集成、通高电流、体积小等特点。该技术在LED要求高度集成、降低光的成本、高可靠性的前提下,被开发出来,带有IC行业的特征。
目前EMC封装技术一般是在EMC支架上进行焊晶固线,每个支架各自独立,大小尺寸一样,因此,其决定了其功率基本相同。这种结构无法更加实际需要对支架板(支架阵列)进行功率剪切调整。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明所要解决的第一个技术问题是提供一种分布式III族氮化物发光半导体的EMC金属接合装置,其可以根据需要的功率,对封装好的支架板进行剪切,且具有良好的散热性。
本发明所要解决的其它技术问题是提出LED光源的封装方法,其可以实现根据需要的功率,对封装好的支架板进行剪切,且支架具有良好的散热性。
为解决上述第一个技术问题,本发明所采用的技术方案如下:
一种分布式III族氮化物发光半导体的EMC金属接合装置包括EMC支架,所述支架表面有用于固晶的热沉片,LED芯片固定在热沉片上;在热沉片两侧设有电极金属片;LED芯片的两个电极通过引线分别连接到两侧的电极金属片。所有LED芯片的电极金属片排布在热沉片的两侧。热沉片优选为铜片或镀银铜片。
优选地:LED芯片在所述热沉片上错位分布。在热沉片上进行错位分布芯片的固定位,当芯片固定其上的时候,热源呈现离散分布,相比直线分布,其散热效果更好,避免芯片相互发热产生的干扰和局部积热的问题。
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