[发明专利]纳米光学的折射光学器件在审
| 申请号： | 201510430027.9 | 申请日： | 2011-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN105118871A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | H·K·金;Y-S·荣;Y·习 | 申请（专利权）人： | 匹兹堡高等教育联邦体系大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/052;G02B5/18;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;赵志刚 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直偶极子阵列结构，其包括支持膜的衬底，该膜不是由负折射率超材料组成。该膜包括多个倾斜取向的部分和孔径。至少两个倾斜取向的部分由孔径隔开，且倾斜取向的部分被配置成使得入射辐射重定向成负或正折射方向。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 光学 折射 器件 | ||
【主权项】：
一种垂直偶极子阵列结构，其包括(A)支持(B)膜的衬底，所述膜包括多个倾斜取向的部分，其中(ⅰ)所述膜具有多个孔径，(ⅱ)至少两个所述倾斜取向的部分由孔径隔开，(ⅲ)所述倾斜取向的部分被配置成使得入射辐射透射通过所述孔径并在焦点处相长干涉，以及(ⅳ)所述膜不是由负折射率超材料组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
