[发明专利]纳米光学的折射光学器件在审
| 申请号: | 201510430027.9 | 申请日: | 2011-07-21 |
| 公开(公告)号: | CN105118871A | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
| 发明(设计)人: | H·K·金;Y-S·荣;Y·习 | 申请(专利权)人: | 匹兹堡高等教育联邦体系大学 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/052;G02B5/18;B82Y20/00 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民;赵志刚 |
| 地址: | 美国宾*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米 光学 折射 器件 | ||
1.一种垂直偶极子阵列结构,其包括(A)支持(B)膜的衬底,所述膜包括多个倾斜取向的部分,其中(ⅰ)所述膜具有多个孔径,(ⅱ)至少两个所述倾斜取向的部分由孔径隔开,(ⅲ)所述倾斜取向的部分被配置成使得入射辐射透射通过所述孔径并在焦点处相长干涉,以及(ⅳ)所述膜不是由负折射率超材料组成。
2.一种光伏器件,其包括电极,所述电极包括形成在膜上的垂直纳米孔径阵列,其中所述电极被配置成使得入射辐射弯向掠射角方向,而没有通过所述膜的直接透射。
3.一种光伏器件,其包括电极,所述电极包括形成在膜上的垂直纳米孔径阵列,其中所述电极被配置成使得倾斜入射辐射直接透射通过所述纳米孔径电极,并且直接透射的辐射以掠射角传播通过所述膜。
4.一种2D垂直纳米孔径阵列结构,其包括(A)支持(B)膜的衬底,所述膜包括多个倾斜取向的部分,其中(ⅰ)所述膜具有多个孔径,(ⅱ)至少两个所述倾斜取向的部分由孔径隔开,(ⅲ)所述倾斜取向的部分被配置成使得所述阵列不是偏振敏感的。
5.根据权利要求4所述的2D垂直纳米孔径阵列结构,其中至少一个所述孔径是十字形孔径。
6.一种在大区域上形成垂直纳米孔径阵列的方法,其包括对由衬底支持的膜和所述衬底通过全息光刻图案成形,并通过其角度沉积在所述膜上提供金属。
7.一种光伏器件,其包括(A)镜膜,(B)形成在所述镜膜上的膜,和(C)包括形成在所述膜上的垂直纳米孔径阵列的电极,其中所述电极、膜和镜膜被配置作为Fabry-perot腔结构。
8.根据权利要求7所述的光伏器件,其中所述电极和镜膜被配置成使得透射的光被所述镜膜反射。
9.一种2D垂直纳米孔径阵列结构,其包括形成在膜上的至少第一1D光栅结构,和形成在所述膜上的至少第二1D光栅结构,其中所述第一和所述第二1D光栅被配置成使得非偏振光耦合到所述膜中。
10.根据权利要求9所述的2D垂直纳米孔径阵列结构,其中所述第一1D光栅结构和所述第二1D光栅结构中的每个是垂直纳米孔径阵列结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





