[发明专利]一种抗单粒子辐射的场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201510429977.X | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN105161524A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 黄如;武唯康;安霞;刘静静;阙陶;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗单粒子辐射的场效应晶体管及其制备方法。本发明的场效应晶体管包括：衬底、浅槽隔离区、掺杂区、源区、漏区、冗余电极区、主管栅介质、冗余栅介质、主管栅极和冗余栅极；本发明隶属于版图级设计加固方法，一定程度上可以从瞬态脉冲产生的源头抑制MOSFET对单粒子辐照的敏感性；本发明基于辐射效应的电荷分享原理，在敏感pn结周围形成冗余电极区/衬底pn结，使其在无辐射时不影响MOSFET的工作性能，有辐射时可以分担收集辐射电离效应产生的电荷，从而减少被保护的敏感pn结的收集电荷；并且，与使用高密度体接触/阱接触的设计加固方法相比，本发明需要的版图总面积较小，具有更高的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 辐射 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抗单粒子辐射的场效应晶体管MOSFET，其特征在于，所述场效应晶体管包括：衬底、浅槽隔离区、掺杂区、源区、漏区、冗余电极区、主管栅介质、冗余栅介质、主管栅极和冗余栅极；其中，所述掺杂区形成在衬底上；所述浅槽隔离区包围掺杂区并嵌在衬底内；在掺杂区内依次为源区、漏区和冗余电极区，源区、漏区和冗余电极区彼此之间具有距离；在掺杂区上且位于源区和漏区之间形成主管栅介质；在掺杂区之上且位于漏区和冗余电极区之间形成冗余栅介质；在主管栅介质和冗余栅介质上分别形成主管栅极和冗余栅极。
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