[发明专利]碳化硅半导体器件有效
| 申请号： | 201510427675.9 | 申请日： | 2015-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN105390544B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 北林弘之 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/45 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅半导体器件，包括碳化硅半导体层(100)以及与碳化硅半导体层接触的电极层(101)。电极层的至少一部分包含碳。在电极层的厚度方向上的一个截面中将电极层在厚度方向上二等分以获得面对碳化硅半导体层的第一区域(r1)以及与碳化硅半导体层相反的第二区域(r2)的情况下，在第一区域中包含碳的碳部分(2)的面积比第二区域中的碳部分(2)的面积宽。在电极层的厚度方向上的一个截面中，在位于距碳化硅半导体层和电极层之间的界面直到300nm的界面区域(IR)处，碳部分包括其间插入间隔地设置的多个部分，并且由碳部分占据的面积的比率不大于40％。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体器件，包括：碳化硅半导体层(100)；以及电极层(101)，所述电极层(101)与所述碳化硅半导体层(100)接触，所述电极层(101)的至少一部分包含碳，在所述电极层(101)的厚度方向上的一个截面中将所述电极层(101)在厚度方向上二等分，以获得面对所述碳化硅半导体层(100)的第一区域(r1)以及与所述碳化硅半导体层(100)相反的第二区域(r2)的情况下，所述第一区域(r1)中的包含所述碳的碳部分(2)的面积比所述第二区域(r2)中的所述碳部分(2)的面积宽，在所述一个截面中，在位于距所述碳化硅半导体层(100)和所述电极层(101)之间的界面直到300nm的界面区域(IR)处，所述碳部分(2)包括多个部分，所述多个部分被设置成在所述多个部分之间插入有间隔，由所述碳部分(2)占据的面积的比率不小于10％且不大于40％。
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