[发明专利]碳化硅半导体器件

权利要求书

1.一种碳化硅半导体器件，包括：

碳化硅半导体层(100)；以及

电极层(101)，所述电极层(101)与所述碳化硅半导体层(100)接触，

所述电极层(101)的至少一部分包含碳，

在所述电极层(101)的厚度方向上的一个截面中将所述电极层(101)在厚度方向上二等分，以获得面对所述碳化硅半导体层(100)的第一区域(r1)以及与所述碳化硅半导体层(100)相反的第二区域(r2)的情况下，所述第一区域(r1)中的包含所述碳的碳部分(2)的面积比所述第二区域(r2)中的所述碳部分(2)的面积宽，

在所述一个截面中，在位于距所述碳化硅半导体层(100)和所述电极层(101)之间的界面直到300nm的界面区域(IR)处，所述碳部分(2)包括多个部分，所述多个部分被设置成在所述多个部分之间插入有间隔，由所述碳部分(2)占据的面积的比率不小于10％且不大于40％。

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其中所述电极层(101)包含镍。

3.根据权利要求2所述的碳化硅半导体器件，其中

所述电极层(101)进一步包含硅，并且

在所述电极层(101)中的镍和硅的总原子数中，镍的原子数的比率不小于68原子％且不大于75原子％。