[发明专利]阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置

摘要

本发明提供一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法包括：在所述基板上形成第一金属层，通过构图工艺使第一金属层形成包括栅极的图案；在上述基板及第一金属层上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成正投影于所述栅极的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上设置光阻层，而位于所述氧化物半导体层上沟道区域两侧为第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层；对设置有光阻层的所述第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层进行等离子处理，移除所述光阻层；在基板上形成蚀刻阻挡层；在所述基板上形成源极及漏极，其中，所述源极与第一氧化物导体层接触，所述漏极与第二氧化物导体层接触。

主权项

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法包括：提供一基板；在所述基板上形成第一金属层，通过构图工艺使第一金属层形成包括栅极的图案；在上述基板及第一金属层上形成栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖所述基板的表面及所述栅极；在所述栅极绝缘层上形成正投影于所述栅极的氧化物半导体层；其中，所述氧化物半导体层的宽度与所述栅极宽度相同；在所述氧化物半导体层上设置光阻层，所述光阻层的宽度小于所述氧化物半导体层的宽度，且所述氧化物半导体层上由所述光阻层投影正对的部分为沟道区域，而位于所述氧化物半导体层上沟道区域两侧为第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层；对设置有光阻层的所述第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层采用氮气或氨气注入的方式进行等离子处理，使露出所述光阻层投影的第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层转换为第一氧化物导体层及第二氧化物导体层；移除所述光阻层；在形成栅极绝缘层、沟道区域、第一氧化物导体层及第二氧化物导体层的基板上形成蚀刻阻挡层；其中，所述蚀刻阻挡层覆盖所述沟道区域并部分露出所述第一氧化物导体层及所述第二氧化物导体层；在所述基板上形成第二金属层，图案化所述第二金属层形成所述阵列基板的源极及漏极，其中，所述源极与第一氧化物导体层接触，所述漏极与第二氧化物导体层接触。