[发明专利]一种用于获得低阻CdS晶片的退火工艺有效
| 申请号： | 201510414445.9 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104962997B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 司华青;徐永宽;程红娟;张颖武;练小正;李璐杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/50 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司12105 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于获得低阻CdS晶片的退火工艺，工艺为一、加工退火装置，把一石英坩埚从侧面斜向约45°切出数条宽度1~1.5mm的卡槽；二、将生长出的CdS晶锭切成1mm厚的CdS晶片；三、在石英坩埚的底部加入0.3~0.5gCd单质，同时加入4~6gCdS粒，将CdS晶片放在卡槽中，将整体装置放置在石英外管内并在1×10‑4Pa以上的真空度下烧结密封；四、将整个装置放置在垂直5温区炉的中部进行退火,退火时各温区保持在900~950℃的某一温度恒温，退火时间5天；五、退火完毕后，以2℃/min的速率缓慢降温至室温，取出装置即可得到低阻的CdS晶片，有益效果是可以较快有效的从高阻的CdS晶体得到低阻的CdS晶片，同时保证了退火过程中晶片的稳定，解决了阻碍CdS晶片器件应用的关键问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 获得 cds 晶片 退火 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于获得低阻CdS晶片的退火工艺，其特征在于：分以下步骤进行，步骤一、加工退火装置，把一石英坩埚（1）从侧面斜向45°切出数条宽度1~1.5mm的卡槽（1‑1）；步骤二、将生长出的CdS晶锭切成1mm厚的CdS晶片（2）；步骤三、将CdS晶片（2）放在卡槽（1‑1）中，在石英坩埚（1）的底部加入0.3~0.5gCd单质（3），同时加入4~6gCdS粒（4），将整体装置放置在石英外管内并在1×10‑4Pa以上的真空度下烧结密封；步骤四、将整个装置放置在垂直5温区炉的中部进行退火，退火时各温区保持在900~950℃的某一温度恒温，退火时间5天；步骤五、退火完毕后，以2℃/min的速率缓慢降温至室温，取出装置即可得到低阻的CdS晶片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所，未经中国电子科技集团公司第四十六研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510414445.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
