[发明专利]一种用于获得低阻CdS晶片的退火工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种CdS晶片的退火工艺, 特别涉及一种用于获得低阻CdS晶片的退火工艺。

背景技术

通过物理气相传输（PVT）法生长出来的本征CdS晶体通常为高阻状态，而高阻的CdS晶片无法直接用于器件制作，因此想要实现在器件上的应用需要制备出低阻的CdS晶体，在气氛中退火是改变晶体性能的一种常用手段，因此提出在Cd气氛中对CdS晶体进行退火的方法，通过在高温下Cd原子向晶体内的扩散，在CdS晶体中形成S空位缺陷，从而提高有效载流子浓度，降低电阻率，最终得到低阻的CdS晶体，通过在Cd气氛中对CdS晶体进行退火的方法可以有效降低CdS晶体电阻，但是退火扩散速度慢，直接对晶锭退火耗时长且无法扩散到晶体内部；另外CdS晶体较脆易碎，对退火时装置放置的要求高。

发明内容

鉴于现有技术存在的问题，本发明提供一种对CdS晶片放置在退火装置中进行退火工艺，保证退火效果，具体技术方案是，一种用于获得低阻CdS晶片的退火工艺，其特征在于：分以下步骤进行，

步骤一、加工退火装置，把一石英坩埚从侧面斜向约45°切出数条宽度1~1.5mm的卡槽；

步骤二、将生长出的CdS晶锭切成1mm厚的CdS晶片；

步骤三、将CdS晶片放在卡槽中，在石英坩埚的底部加入0.3~0.5gCd单质，同时加入4~6gCdS粒，将整体装置放置在石英外管内并在1×10^-4Pa以上的真空度下烧结密封；

步骤四、将整个装置放置在垂直5温区炉的中部进行退火，退火时各温区保持在900~950℃的某一温度恒温，退火时间5天；

步骤五、退火完毕后，以2℃/min的速率缓慢降温至室温，取出装置即可得到低阻的CdS晶片。

本发明的有益效果是可以较快有效的从高阻的CdS晶体得到低阻的CdS晶片，同时保证了退火过程中晶片的稳定，解决了阻碍CdS晶片器件应用的关键问题。

附图说明

图1是本发明采用的CdS晶片退火装置示意图。

图2是本发明CdS晶片安装在退火装置示意图。

具体实施方式

下面结合实例进一步说明,如图1所示, 是本发明采用的CdS晶片退火装置,退火工艺如下：

步骤一、加工退火装置，把一石英坩埚1从侧面斜向约45°切出数条宽度1~1.5mm的卡槽1-1；

步骤二、将生长出的CdS晶锭切成1mm厚的CdS晶片2；

步骤三、在石英坩埚1的底部加入0.3gCd单质3，同时加入5gCdS粒4，将CdS晶片2放在卡槽1-1中，将整体装置放置在石英外管内并在1×10^-4Pa以上的真空度下烧结密封；

步骤四、将整个装置放置在垂直5温区炉的中部进行退火，退火时各温区保持在900℃恒温，退火时间5天；

步骤五、退火完毕后，以2℃/min的速率缓慢降温至室温，取出装置即可得到低阻的CdS晶片。