[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201510413155.2 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN105280690B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 土屋秀昭;木村央;井手隆;国宗依信 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可提高电极的电迁移耐力的技术。漏极电极(DE)的一部分形成于漏极垫(DP)的侧面(DSF)中。此时，漏极电极(DE)与漏极垫(DP)一体形成，且在俯视下从侧面(DSF)起在第1方向(y方向)上延伸。凹部(DRE)位于在俯视下与漏极电极(DE)重合的区域上。漏极电极(DE)的至少一部分填埋在凹部(DRE)中。从第1方向(y方向)上看，凹部(DRE)中面向漏极垫(DP)的侧面(侧面RDS)嵌入漏极垫(DP)中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具有：氮化物半导体层；层间绝缘膜，所述层间绝缘膜位于所述氮化物半导体层上；布线，所述布线位于所述层间绝缘膜上；电极，所述电极与所述布线一体形成，且部分形成于所述布线的第1侧面上，而且在俯视下从所述第1侧面在第1方向上延伸；凹部，所述凹部在俯视下位于与所述电极重合的区域上，且形成于所述层间绝缘膜中，下端抵达所述氮化物半导体层，且埋有所述电极的至少一部分；以及阻障金属膜，所述阻障金属膜沿着所述凹部的底面及侧面、所述布线的底面以及所述电极的底面而形成，其中，所述布线及所述电极含有铝，所述阻障金属膜含有钛，从所述第1方向看，所述凹部中的面向所述布线的侧面抵达所述布线的所述第1侧面，或者嵌入所述布线中。
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