[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，

具有：

氮化物半导体层；

层间绝缘膜，所述层间绝缘膜位于所述氮化物半导体层上；

布线，所述布线位于所述层间绝缘膜上；

电极，所述电极与所述布线一体形成，且部分形成于所述布线的第1侧面上，而且在俯视下从所述第1侧面在第1方向上延伸；

凹部，所述凹部在俯视下位于与所述电极重合的区域上，且形成于所述层间绝缘膜中，下端抵达所述氮化物半导体层，且埋有所述电极的至少一部分；以及

阻障金属膜，所述阻障金属膜沿着所述凹部的底面及侧面、所述布线的底面以及所述电极的底面而形成，

其中，所述布线及所述电极含有铝，所述阻障金属膜含有钛，从所述第1方向看，所述凹部中的面向所述布线的侧面抵达所述布线的所述第1侧面，或者嵌入所述布线中，

具有：

第1晶体管，在俯视下，所述第1晶体管在与所述第1方向相交的第2方向上按顺序排列有漏极、栅极电极以及源极；

漏极垫，所述漏极垫在所述第2方向上延伸；

漏极电极，所述漏极电极从所述漏极垫沿所述第1方向延伸，且与所述漏极电连接；

源极垫，所述源极垫在所述第1方向上隔着所述漏极电极而与所述漏极垫相面对，且在所述第2方向上延伸；以及

源极电极，所述源极电极从所述源极垫朝向所述漏极垫侧在所述第1方向上延伸，且与所述源极电连接，

其中，所述布线及所述电极分别为所述源极垫及所述源极电极，

具有：

第2晶体管，所述第2晶体管在俯视下在所述第2方向上按与所述第1晶体管相反的顺序排列有漏极、栅极电极、及源极，且所述第2晶体管的所述源极和所述第1晶体管的所述源极与同一个所述源极电极电连接；以及

栅极布线，所述栅极布线在俯视下与所述漏极电极相比位于所述源极垫侧，且连接所述第1晶体管的所述栅极电极和所述第2晶体管的所述栅极电极，

其中，在俯视下，所述凹部被夹在所述第1晶体管的所述栅极电极与所述第2晶体管的所述栅极电极之间，而且，所述凹部与所述栅极布线相比位于所述漏极垫侧，所述栅极布线、所述第1侧面、及所述源极电极按顺序排列在所述第1方向上，

所述凹部在俯视下不与所述栅极布线重合。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述源极电极的宽度比所述漏极电极的宽度大。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

在俯视下，所述源极电极与所述栅极电极的至少一部分重合。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述阻障金属膜为由钛构成的单层膜。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述阻障金属膜与所述电极之间，不具有由氮化钛构成的膜。

6.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述阻障金属膜与所述电极直接连接。