[发明专利]一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法及其封装结构有效
| 申请号: | 201510412091.4 | 申请日: | 2015-07-14 |
| 公开(公告)号: | CN105185798B | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
| 发明(设计)人: | 靖向萌;冯光建 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 殷红梅;涂三民 |
| 地址: | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法及其封装结构,它包括以下步骤:在CIS晶圆的正面键合负载晶圆,以负载晶圆为支撑减薄CIS晶圆,并在CIS晶圆的背面添加滤光镜和微透镜;在CIS晶圆的背面用透光胶进行覆盖,通过透光胶对滤光镜和微透镜进行保护;以透光胶为支撑减薄负载晶圆;在负载晶圆的背面做出引线;把透光胶进行减薄,减薄后切割得到单一芯片,封装方法结束。本发明直接用一层透光胶覆盖在感光区域做保护封盖,并以此做支撑来做后续的引线工艺,通过研磨和抛光把透光胶磨平,最后切割晶圆成单一的芯片,本发明降低了工艺难度和成本,同时降低了芯片的厚度。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 背照式 图像传感器 晶圆级 封装 方法 及其 结构 | ||
【主权项】:
1.一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法,其特征是该方法包括以下步骤:a、取已经在其正面做出引线(7)和图像传感器(8)的图像传感器晶圆(1),在图像传感器晶圆(1)的正面键合负载晶圆(2),以负载晶圆(2)为支撑减薄图像传感器晶圆(1)的背面,并在图像传感器晶圆(1)的背面添加滤光镜(3)和微透镜(4);b、在图像传感器晶圆(1)的背面用透光胶(5)进行覆盖,通过透光胶(5)对滤光镜(3)和微透镜(4)进行保护;c、以透光胶(5)为支撑减薄负载晶圆(2);d、在负载晶圆(2)内做出导电柱(6),并在导电柱(6)的上端部沉积出导电层(9);所述导电柱(6)的上端面与负载晶圆(2)的正面平齐;e、把透光胶(5)进行减薄,减薄后切割得到单一芯片,封装方法结束;步骤a中,在图像传感器晶圆(1)的正面通过硅硅键合、硅氧键合、氧氧键合或者用胶粘合方式键合上负载晶圆(2);步骤c中,以透光胶(5)为支撑减薄负载晶圆(2)至厚度为80~120µm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510412091.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:背照式混合成像探测器像元结构及其制备方法
- 下一篇:半导体器件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





