[发明专利]一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法及其封装结构

权利要求书

1.一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法，其特征是该方法包括以下步骤：

a、取已经在其正面做出引线（7）和图像传感器（8）的图像传感器晶圆（1），在图像传感器晶圆（1）的正面键合负载晶圆（2），以负载晶圆（2）为支撑减薄图像传感器晶圆（1）的背面，并在图像传感器晶圆（1）的背面添加滤光镜（3）和微透镜（4）；

b、在图像传感器晶圆（1）的背面用透光胶（5）进行覆盖，通过透光胶（5）对滤光镜（3）和微透镜（4）进行保护；

c、以透光胶（5）为支撑减薄负载晶圆（2）；

d、在负载晶圆（2）内做出导电柱（6），并在导电柱（6）的上端部沉积出导电层（9）；所述导电柱（6）的上端面与负载晶圆（2）的正面平齐；

e、把透光胶（5）进行减薄，减薄后切割得到单一芯片，封装方法结束；

步骤a中，在图像传感器晶圆（1）的正面通过硅硅键合、硅氧键合、氧氧键合或者用胶粘合方式键合上负载晶圆（2）；

步骤c中，以透光胶（5）为支撑减薄负载晶圆（2）至厚度为80~120µm。

2.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法，其特征是：所述图像传感器晶圆（1）的厚度为200~600µm。

3.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法，其特征是：所述负载晶圆（2）的材质是有机玻璃、无机玻璃、半导体材料、金属、有机塑料或者陶瓷材料。

4.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法，其特征是：所述透光胶（5）的材质为热固型环氧树脂或者光固型环氧树脂，透光胶（5）的上胶方式包括涂布上胶方式、贴膜上胶方式或者注塑上胶方式。

5.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法，其特征是：所述导电柱（6）的材质为铜锡。

6.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法，其特征是：所述导电层（9）的厚度为0.4~30µm。