[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201510408060.1 | 申请日： | 2010-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN105097946A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;秋元健吾;津吹将志;佐佐木俊成;桑原秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。在使用第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的叠层的底栅结构的薄膜晶体管中，在与栅极布线层重叠的一部分氧化物半导体层上形成与其接触的用作沟道保护层的氧化物绝缘层，并且在形成该绝缘层的相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的叠层的周缘部(包括侧表面)的氧化物绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：在绝缘表面上的栅电极层；在所述栅电极层上的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上的包括铟的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道形成区，所述沟道形成区与所述栅电极层重叠且所述栅极绝缘层插入在二者之间，其中所述氧化物半导体层具有叠层结构，所述叠层结构包括第一氧化物半导体膜和在所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜；在所述氧化物半导体层上的氧化物绝缘层，所述氧化物绝缘层包括第一接触孔和第二接触孔，其中所述氧化物绝缘层覆盖所述氧化物半导体层的周缘；在所述氧化物绝缘层上的源电极层，所述源电极层穿过所述氧化物绝缘层的第一接触孔与所述氧化物半导体层电接触；在所述氧化物绝缘层上的漏电极层，所述漏电极层穿过所述氧化物绝缘层的第二接触孔与所述氧化物半导体层电接触；在所述源电极层和所述漏电极层上的无机绝缘膜；在所述无机绝缘膜上的像素电极层，所述像素电极层与所述源电极层和所述漏电极层中的一个电接触；以及栅极布线层和源极布线层的布线交叉部，其中所述源电极层与所述氧化物半导体层的第一端重叠，所述氧化物绝缘层插入在二者之间，其中所述漏电极层与所述氧化物半导体层的第二端重叠，所述氧化物绝缘层插入在二者之间，其中在所述布线交叉部中，所述栅极绝缘层以及所述氧化物绝缘层设置在所述栅极布线层和所述源极布线层之间，其中所述栅极布线层包括所述栅电极层，并且其中所述源极布线层包括所述源电极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510408060.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：波长转换部件与远程磷光体型发光装置
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
