[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

在绝缘表面上的栅电极层；

在所述栅电极层上的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上的包括铟的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道形成区，所述沟道形成区与所述栅电极层重叠且所述栅极绝缘层插入在二者之间，其中所述氧化物半导体层具有叠层结构，所述叠层结构包括第一氧化物半导体膜和在所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜；

在所述氧化物半导体层上的氧化物绝缘层，所述氧化物绝缘层包括第一接触孔和第二接触孔，其中所述氧化物绝缘层覆盖所述氧化物半导体层的周缘；

在所述氧化物绝缘层上的源电极层，所述源电极层穿过所述氧化物绝缘层的第一接触孔与所述氧化物半导体层电接触；

在所述氧化物绝缘层上的漏电极层，所述漏电极层穿过所述氧化物绝缘层的第二接触孔与所述氧化物半导体层电接触；

在所述源电极层和所述漏电极层上的无机绝缘膜；

在所述无机绝缘膜上的像素电极层，所述像素电极层与所述源电极层和所述漏电极层中的一个电接触；以及

栅极布线层和源极布线层的布线交叉部，

其中所述源电极层与所述氧化物半导体层的第一端重叠，所述氧化物绝缘层插入在二者之间，

其中所述漏电极层与所述氧化物半导体层的第二端重叠，所述氧化物绝缘层插入在二者之间，

其中在所述布线交叉部中，所述栅极绝缘层以及所述氧化物绝缘层设置在所述栅极布线层和所述源极布线层之间，

其中所述栅极布线层包括所述栅电极层，并且

其中所述源极布线层包括所述源电极层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括在同一衬底上的电容器部分，

其中所述电容器部分包括电容器布线和与所述电容器布线重叠的电容器电极，

其中所述电容器部分中的电介质为所述栅极绝缘层，并且

其中所述电容器布线和所述电容器电极与所述栅极绝缘层接触。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述栅电极层在沟道长度方向上的宽度小于所述氧化物半导体层在沟道长度方向上的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述栅电极层在沟道长度方向上的宽度大于所述氧化物半导体层在沟道长度方向上的宽度，并且

所述栅电极层的端表面与所述源电极层或所述漏电极层重叠，所述栅极绝缘层和所述氧化物绝缘层插入在其间。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物绝缘层是氧化硅膜或氧化铝膜。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述源电极层和所述漏电极层由透光导电膜形成。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层还包括镓和锌。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述氧化物绝缘层的所述第一接触孔与所述氧化物半导体层完全重叠，并且

所述氧化物绝缘层的所述第二接触孔与所述氧化物半导体层完全重叠。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述无机绝缘膜还包括氮。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述栅极绝缘层包括氮化硅膜和在所述氮化硅膜上的氧化硅膜。