[发明专利]一种陶瓷‑金属纳米线复合薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种制备陶瓷‑金属纳米线复合薄膜的方法，该方法采用磁控溅射，借助溅射过程中化合物陶瓷靶及金属靶功率的调控，并结合辅助衬底偏压的选择性刻蚀，可大范围实施复合薄膜内金属纳米线尺寸及间距的调整；同时，该方法在制备薄膜过程中，绿色无污染，且方便在各类型衬底材料上低成本、大面积制备。本发明所述的陶瓷可以是氧化物、氮化物、硼化物及碳化物等；所述的金属可以是金、银、铜、铂等；所述衬底可以为金属、或无机半导体材料、或无机绝缘材料；所述的陶瓷‑金属纳米线复合薄膜可以是单层，也可以是具备不同金属体积百分数膜层的叠加，即多层堆叠结构。采用本发明所制备的复合薄膜，具备明显的光学各向异性。

主权项

一种陶瓷‑金属纳米线复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将衬底进行预处理；(2)分别以化合物陶瓷和金属作为靶材，在步骤(1)处理过的衬底的表面进行磁控溅射，得到所述的陶瓷‑金属纳米线复合薄膜；当所述的衬底为导电衬底时，衬底偏压类型为直流或脉冲偏压；当所述的衬底为绝缘衬底时，衬底偏压类型为射频偏压；所述的衬底偏压功率密度为0.1‑2W/cm2，自偏压大小高于‑60V；所述的化合物陶瓷靶溅射功率密度范围为4.5‑20W/cm2，所述的金属靶溅射功率密度范围为0.3‑3W/cm2；溅射气压范围为0.1‑0.5Pa，靶基距不低于80mm。