[发明专利]一种陶瓷‑金属纳米线复合薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种陶瓷-金属纳米线复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将衬底进行预处理；

(2)分别以化合物陶瓷和金属作为靶材，在步骤(1)处理过的衬底的表面进行磁控溅射，得到所述的陶瓷-金属纳米线复合薄膜；

当所述的衬底为导电衬底时，衬底偏压类型为直流或脉冲偏压；

当所述的衬底为绝缘衬底时，衬底偏压类型为射频偏压；

所述的衬底偏压功率密度为0.1-2W/cm²，自偏压大小高于-60V；

所述的化合物陶瓷靶溅射功率密度范围为4.5-20W/cm²，所述的金属靶溅射功率密度范围为0.3-3W/cm²；

溅射气压范围为0.1-0.5Pa，靶基距不低于80mm。

2.根据权利要求1所述的陶瓷-金属纳米线复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为金属、无机半导体材料或无机绝缘材料。

3.根据权利要求1所述的陶瓷-金属纳米线复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的预处理包括：将所述的衬底依次先在丙酮、酒精和去离子水中超声清洗，然后依次进行加热解吸附和等离子体溅射清洗。

4.根据权利要求1所述的陶瓷-金属纳米线复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述的化合物陶瓷包括氧化物、氮化物、硼化物或碳化物；

所述的金属包括金、银、铜或铂。

5.根据权利要求1所述的陶瓷-金属纳米线复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述的化合物陶瓷为氧化铝，所述的金属为银；

所述的化合物陶瓷靶溅射功率密度范围为4.5-7W/cm²，所述的金属靶溅射功率密度范围为0.3-0.75W/cm²。

6.一种陶瓷-金属纳米线复合薄膜，其特征在于，由权利要求1～5任一项所述的制备方法制备得到。

7.根据权利要求6所述的陶瓷-金属纳米线复合薄膜，其特征在于，所述的陶瓷-金属纳米线复合薄膜内纳米线所占体积百分数在5％-50％之间，金属纳米线直径不小于2nm。

8.根据权利要求6所述的陶瓷-金属纳米线复合薄膜，其特征在于，所述的陶瓷-金属纳米线复合薄膜为单层或者多层堆叠结构。