[发明专利]应用于高频开关电源中的过零检测电路有效
申请号: | 201510405927.8 | 申请日: | 2015-07-09 |
公开(公告)号: | CN104991113B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 张章;王星;宋明鑫;梅健平;谭烨;解光军 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | G01R19/175 | 分类号: | G01R19/175;H02M3/00 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 242000 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供了一种应用于高频开关电源中的过零检测电路包括偏置部分、检测部分以及输出部分;其中所述偏置部分为过零检测电路的各个支路提供偏置电流;所述检测部分在开关管关断时,检测整流管漏极电压VX,当VX从负值上升到0V时,输出低电平,将整流管关断,防止反向电流的产生;输出部分用于调整输出波形和增大检测电路的驱动能力。本发明电路形式简单,需要的静态电流低且功耗低;过零检测的跳变点可以依据偏置电流的大小做出调整,使用范围广,既可用于低频开关电源中的过零检测,也可以用于高频开关电源。 | ||
搜索关键词: | 应用于 高频 开关电源 中的 检测 电路 | ||
【主权项】:
一种应用于高频开关电源中的过零检测电路,其特征在于,包括偏置部分、检测部分以及输出部分;其中所述偏置部分为过零检测电路的各个支路提供偏置电流;所述检测部分在开关管关断时,检测整流管漏极电压VX,当VX从负值上升到0V时,输出低电平,将整流管关断,防止反向电流的产生;输出部分用于调整输出波形和增大检测电路的驱动能力;所述偏置部分包括第一PMOS管、第一NMOS管与第二NMOS管;所述第一PMOS管源极接电源,所述第一NMOS管栅极、第一NMOS管漏极、第二NMOS管栅极连接IBIAS端口,所述第一NMOS管源极、第二NMOS管源极分别接地,所述第一PMOS管漏极、第一PMOS管栅极、第二NMOS管漏极相连;所述检测部分包括第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管;所述第二PMOS管漏极、第二PMOS管源极、第三PMOS管源极、第四PMOS管源极、第五PMOS管源极分别接电源,所述第二PMOS管栅极、第三PMOS管栅极、第四PMOS管栅极、第五PMOS管栅极分别与第一PMOS管栅极连接,第五PMOS管漏极与第六NMOS管漏极连接,所述第三PMOS管漏极、第三NMOS管漏极、第三NMOS管栅极、第四NMOS管栅极相连,所述第四PMOS管漏极、第四NMOS管漏极、第六NMOS管栅极相连,所述第三NMOS管源极、第六NMOS管源极分别接地,第四NMOS管源极与第五NMOS管漏极连接,第五NMOS管栅极接端口EN,第五NMOS管源极接端口VX。
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