[发明专利]应用于高频开关电源中的过零检测电路

权利要求书

1.一种应用于高频开关电源中的过零检测电路，其特征在于，包括偏置部分、检测部分以及输出部分；

其中所述偏置部分为过零检测电路的各个支路提供偏置电流；

所述检测部分在开关管关断时，检测整流管漏极电压VX，当VX从负值上升到0V时，输出低电平，将整流管关断，防止反向电流的产生；

输出部分用于调整输出波形和增大检测电路的驱动能力；

所述偏置部分包括第一PMOS管、第一NMOS管与第二NMOS管；

所述第一PMOS管源极接电源，所述第一NMOS管栅极、第一NMOS管漏极、第二NMOS管栅极连接IBIAS端口，所述第一NMOS管源极、第二NMOS管源极分别接地，所述第一PMOS管漏极、第一PMOS管栅极、第二NMOS管漏极相连；

所述检测部分包括第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管；

所述第二PMOS管漏极、第二PMOS管源极、第三PMOS管源极、第四PMOS管源极、第五PMOS管源极分别接电源，所述第二PMOS管栅极、第三PMOS管栅极、第四PMOS管栅极、第五PMOS管栅极分别与第一PMOS管栅极连接，第五PMOS管漏极与第六NMOS管漏极连接，所述第三PMOS管漏极、第三NMOS管漏极、第三NMOS管栅极、第四NMOS管栅极相连，所述第四PMOS管漏极、第四NMOS管漏极、第六NMOS管栅极相连，所述第三NMOS管源极、第六NMOS管源极分别接地，第四NMOS管源极与第五NMOS管漏极连接，第五NMOS管栅极接端口EN，第五NMOS管源极接端口VX。

2.如权利要求1所述的应用于高频开关电源中的过零检测电路，其特征在于，所述输出部分包括串联的第一反相器与第二反相器，所述第五PMOS管漏极、第六NMOS管漏极分别与所述第一反相器的输入相连。

3.如权利要求2所述的应用于高频开关电源中的过零检测电路，其特征在于，所述各PMOS管与NMOS管的衬底均接地。

4.如权利要求3所述的应用于高频开关电源中的过零检测电路，其特征在于，所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管的沟道长度均为PMOS标准工艺下最小沟道长度的2.5～2.8倍，所述第一NMOS管、第二NMOS管的沟道长度均为NMOS标准工艺下最小沟道长度的5.5～5.6倍，所述第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管的沟道长度均为NMOS标准工艺下最小沟道长度。