[发明专利]套刻精度补偿方法及装置有效
| 申请号： | 201510404693.5 | 申请日： | 2015-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN106325001B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张强;邢滨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种套刻精度补偿方法及装置。所述套刻精度补偿方法包括：测量当层光刻图形与前层光刻图形的第一套刻精度；测量所述前层光刻图形与更前层光刻图形的第二套刻精度；以及基于所述第一套刻精度和所述第二套刻精度计算工艺过程的误差，以用于反馈到曝光机系统中。本发明所提供的套刻精度补偿方法及装置采用多层之间的套刻精度作为反馈，能够改进双镶嵌工艺窗口，针对双镶嵌工艺获得更高的套刻精度。 | ||
| 搜索关键词： | 套刻 光刻图形 精度补偿 前层 双镶嵌工艺 测量 反馈 工艺过程 精度计算 曝光机 当层 多层 改进 | ||
【主权项】：
1.一种套刻精度补偿方法，其特征在于，所述方法包括：测量当层光刻图形与前层光刻图形的第一套刻精度；测量所述前层光刻图形与更前层光刻图形的第二套刻精度；以及基于所述第一套刻精度和所述第二套刻精度计算工艺过程的误差，以用于反馈到曝光机系统中针对双镶嵌工艺提高套刻精度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510404693.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
