[发明专利]套刻精度补偿方法及装置有效
| 申请号： | 201510404693.5 | 申请日： | 2015-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN106325001B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张强;邢滨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 套刻 光刻图形 精度补偿 前层 双镶嵌工艺 测量 反馈 工艺过程 精度计算 曝光机 当层 多层 改进 | ||
1.一种套刻精度补偿方法，其特征在于，所述方法包括：
测量当层光刻图形与前层光刻图形的第一套刻精度；
测量所述前层光刻图形与更前层光刻图形的第二套刻精度；以及
基于所述第一套刻精度和所述第二套刻精度计算工艺过程的误差，以用于反馈到曝光机系统中针对双镶嵌工艺提高套刻精度。
2.如权利要求1所述的套刻精度补偿方法，其特征在于，所述基于所述第一套刻精度和所述第二套刻精度计算工艺过程的误差进一步包括：基于所述第一套刻精度和所述第二套刻精度的平均值计算工艺过程的误差。
3.如权利要求1或2所述的套刻精度补偿方法，其特征在于，所述当层光刻图形和所述更前层光刻图形均为金属层光刻图形，所述前层光刻图形为通孔光刻图形。
4.如权利要求1或2所述的套刻精度补偿方法，其特征在于，所述工艺过程的误差包括以下参数：X、Y方向的位移、晶圆的放大或缩小、晶圆的旋转、曝光场的放大或缩小以及曝光场的旋转。
5.如权利要求1或2所述的套刻精度补偿方法，其特征在于，所述曝光机系统包括先进工艺控制系统。
6.如权利要求1或2所述的套刻精度补偿方法，其特征在于，所述套刻精度补偿方法还包括：根据计算得到的所述工艺过程的误差计算当层曝光机台的工艺补偿值，以用于控制所述当层曝光机台进行光刻工艺。
7.如权利要求6所述的套刻精度补偿方法，其特征在于，所述当层曝光机台的工艺补偿值的计算还基于前层曝光机台的光刻工艺条件。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述前层曝光机台的光刻工艺条件包括：前层曝光机台的误差值和前层曝光机台的工艺补偿值。
9.一种套刻精度补偿装置，其特征在于，所述装置包括：
测量单元，用于测量当层光刻图形与前层光刻图形的第一套刻精度、以及所述前层光刻图形与更前层光刻图形的第二套刻精度；以及
计算单元，用于基于所述第一套刻精度和所述第二套刻精度计算工艺过程的误差，以用于反馈到曝光机系统中针对双镶嵌工艺提高套刻精度。
10.如权利要求9所述的套刻精度补偿装置，其特征在于，所述计算单元进一步基于所述第一套刻精度和所述第二套刻精度的平均值计算工艺过程的误差。
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