[发明专利]基于GaAs衬底的氧化镓薄膜及其生长方法在审
| 申请号： | 201510397556.3 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104962858A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 冯倩;李付国;代波;谢文林;徐通;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/28;C23C14/08;H01L21/20 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于GaAs衬底的氧化镓薄膜及其生长方法，主要解决现有氧化镓薄膜的表面形貌差和晶粒尺寸小的问题。该氧化镓薄膜包括GaAs衬底(1)和氧化镓外延层(3)，其特征在于：GaAs衬底(1)与氧化镓外延层(3)之间设有6-12nm的氧化镓缓冲层(2)，并利用热退火提高氧化镓缓冲层的结晶质量。本发明降低了Ga2O3薄膜表面的粗糙度，改善了Ga2O3薄膜的表面形貌，增大了Ga2O3晶粒尺寸，可用于制作半导体功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gaas 衬底 氧化 薄膜 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
基于GaAs衬底的氧化镓薄膜，包括GaAs衬底(1)和氧化镓外延层(3)，其特征在于：GaAs衬底(1)与氧化镓外延层(3)之间设有6‑12nm的氧化镓缓冲层(2)。
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