[发明专利]基于GaAs衬底的氧化镓薄膜及其生长方法在审
| 申请号： | 201510397556.3 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104962858A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 冯倩;李付国;代波;谢文林;徐通;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/28;C23C14/08;H01L21/20 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 gaas 衬底 氧化 薄膜 及其 生长 方法 | ||
1.基于GaAs衬底的氧化镓薄膜，包括GaAs衬底(1)和氧化镓外延层(3)，其特征在于：GaAs衬底(1)与氧化镓外延层(3)之间设有6-12nm的氧化镓缓冲层(2)。
2.根据权利要求1所述的基于GaAs衬底的氧化镓薄膜，其特征在于：外延层(3)采用Ga2O3材料，厚度为90～150nm。
3.根据权利要求1所述的基于GaAs衬底的氧化镓薄膜，其特征在于：GaAs衬底(1)的晶面取向为(001)。
4.基于GaAs衬底的氧化镓薄膜的生长方法，包括如下步骤:
(1)对GaAs衬底进行清洗，并用氮气吹干；
(2)利用脉冲激光沉积PLD设备在GaAs衬底上生长6-12nm的氧化镓缓冲层，其工艺参数为：
衬底温度625℃～700℃，
氧分压0.04mbar～0.06mbar，
激光能量310mJ～360mJ，
激光频率2Hz～4Hz；
(3)在氧气氛围里对氧化镓缓冲层进行热退火；
(4)在退火后的氧化镓缓冲层上生长氧化镓外延层，其工艺参数为：
衬底温度500℃～600℃，
氧分压0.009mbar～0.02mbar，
激光能量420mJ～460mJ，
激光频率2Hz～3Hz。
5.根据权利要求4所述的基于GaAs衬底的氧化镓薄膜方法，其特征在于：在氧气氛围中热退火的工艺条件是：退火温度750℃～950℃，退火时间60～80min。
6.根据权利要求4所述的基于GaAs衬底的氧化镓薄膜方法，其特征在于：对GaAs衬底的清洗，是在比例为5:1:1的硫酸、双氧水和水的混合溶液中浸泡时间1min。
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