[发明专利]一种有源层及其制备方法、有机场效应晶体管和阵列基板有效

专利信息
申请号: 201510394375.5 申请日: 2015-07-07
公开(公告)号: CN105161619B 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 李鸿鹏 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种有源层及其制备方法,有机场效应晶体管和阵列基板。根据本发明有源层的制备方法,该有源层为并五苯层;其中,并五苯层由式I所示化合物制备而成。本发明的有源层根据本发明的制备方法制成;本发明的有机场效应晶体管包括本发明的有源层;本发明的阵列基板包括根据本发明的有机场效应晶体管。根据本发明有源层的制备方法,采用式I所示化合物作为前驱体,有利于采用光刻法制备有源层,进而避免了现有技术中湿法工艺造成的咖啡环,提高了有机场效应晶体管的光学效果,且克服了并五苯层的流动性,提高了并五苯层的精度。
搜索关键词: 一种 有源 及其 制备 方法 有机 场效应 晶体管 阵列
【主权项】:
一种有源层的制备方法,其特征在于,该有源层为并五苯层;其中,所述并五苯层由式I所示化合物制备而成该方法包括:涂覆步骤:将式I所示化合物的溶液涂覆成层状后烘干;光刻步骤:在式I所示化合物层上涂覆光刻胶、掩膜并曝光,其中,曝光区域的式I所示化合物转化为式II所示聚合物;显影步骤:剥离光刻胶后用有机溶剂显影,清洗掉未曝光区域式I所示化合物;并五苯生成步骤:对曝光区域的式II所示聚合物加热转化为并五苯;在所述涂覆步骤中,所述式I所示化合物的溶液的溶剂为混合溶剂,其中,所述混合溶剂包括以重量份计的:10~14份乙二醇单丁醚、70~74份γ‑丁内酯和14~18份N‑甲基吡咯烷酮。
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