[发明专利]一种有源层及其制备方法、有机场效应晶体管和阵列基板有效
| 申请号: | 201510394375.5 | 申请日: | 2015-07-07 |
| 公开(公告)号: | CN105161619B | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
| 发明(设计)人: | 李鸿鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种有源层及其制备方法,有机场效应晶体管和阵列基板。根据本发明有源层的制备方法,该有源层为并五苯层;其中,并五苯层由式I所示化合物制备而成。本发明的有源层根据本发明的制备方法制成;本发明的有机场效应晶体管包括本发明的有源层;本发明的阵列基板包括根据本发明的有机场效应晶体管。根据本发明有源层的制备方法,采用式I所示化合物作为前驱体,有利于采用光刻法制备有源层,进而避免了现有技术中湿法工艺造成的咖啡环,提高了有机场效应晶体管的光学效果,且克服了并五苯层的流动性,提高了并五苯层的精度。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 有源 及其 制备 方法 有机 场效应 晶体管 阵列 | ||
【主权项】:
一种有源层的制备方法,其特征在于,该有源层为并五苯层;其中,所述并五苯层由式I所示化合物制备而成该方法包括:涂覆步骤:将式I所示化合物的溶液涂覆成层状后烘干;光刻步骤:在式I所示化合物层上涂覆光刻胶、掩膜并曝光,其中,曝光区域的式I所示化合物转化为式II所示聚合物;显影步骤:剥离光刻胶后用有机溶剂显影,清洗掉未曝光区域式I所示化合物;并五苯生成步骤:对曝光区域的式II所示聚合物加热转化为并五苯;在所述涂覆步骤中,所述式I所示化合物的溶液的溶剂为混合溶剂,其中,所述混合溶剂包括以重量份计的:10~14份乙二醇单丁醚、70~74份γ‑丁内酯和14~18份N‑甲基吡咯烷酮。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510394375.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种太阳能微型碳化硅生产装置
- 下一篇:一种电化学氧化装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





