[发明专利]一种有源层及其制备方法、有机场效应晶体管和阵列基板

权利要求书

1.一种有源层的制备方法，其特征在于，该有源层为并五苯层；其中，所述并五苯层由式I所示化合物制备而成

该方法包括：

涂覆步骤：将式I所示化合物的溶液涂覆成层状后烘干；

光刻步骤：在式I所示化合物层上涂覆光刻胶、掩膜并曝光，其中，曝光区域的式I所示化合物转化为式II所示聚合物；

显影步骤：剥离光刻胶后用有机溶剂显影，清洗掉未曝光区域式I所示化合物；

并五苯生成步骤：对曝光区域的式II所示聚合物加热转化为并五苯；

在所述涂覆步骤中，所述式I所示化合物的溶液的溶剂为混合溶剂，其中，

所述混合溶剂包括以重量份计的：10～14份乙二醇单丁醚、70～74份γ-丁内酯和14～18份N-甲基吡咯烷酮。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述涂覆步骤中，所述式I所示化合物的溶液的质量百分比浓度为1.5～2.5％。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述涂覆步骤中，烘干温度为90～100℃，烘干时间为98～102s。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述光刻步骤中，曝光波长为300～450nm，累积光量为70～130mj。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述显影步骤中，所述有机溶剂为三氯甲烷、四氢呋喃或二氧杂环己烷。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述并五苯生成步骤，加热温度为175～185℃，加热时间为15～25min。

7.一种如权利要求1～6任一所述制备方法得到的有源层。

8.一种有机场效应晶体管，其特征在于，该有机场效应晶体管包括权利要求7所述的有源层。

9.一种阵列基板，其特征在于，该阵列基板包括权利要求8所述的有机场效应晶体管。