[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法及外延片有效
| 申请号： | 201510393534.X | 申请日： | 2015-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN105098004B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;陈柏松;胡加辉;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法及外延片，属于半导体技术领域。所述生长方法包括依次在衬底上生长低温缓冲层、未掺杂GaN层、N型层；在N型层上交替生长第一InGaN阱层和第一GaN垒层，形成第一有源层；在第一有源层上交替生长第二InGaN阱层和第二GaN垒层，形成第二有源层；依次在第二有源层上生长电子阻挡层、P型层；第二有源层的生长压力低于第一有源层的生长压力，第二有源层的生长速度低于第一有源层的生长速度，第二有源层的厚度小于第一有源层的厚度；沿发光二极管外延片的生长方向，第二InGaN阱层的生长压力逐层降低、生长速度逐层变慢、厚度逐层减小。本发明发光效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：依次在衬底上生长低温缓冲层、未掺杂GaN层、N型层；在所述N型层上交替生长第一InGaN阱层和第一GaN垒层，形成第一有源层；在所述第一有源层上交替生长第二InGaN阱层和第二GaN垒层，形成第二有源层；依次在所述第二有源层上生长电子阻挡层、P型层；其中，所述第二有源层的生长压力低于所述第一有源层的生长压力，所述第二有源层的生长速度低于所述第一有源层的生长速度，所述第二有源层的厚度小于所述第一有源层的厚度；沿所述发光二极管外延片的生长方向，所述第二InGaN阱层的生长压力逐层降低，所述第二InGaN阱层的生长速度逐层变慢，所述第二InGaN阱层的厚度逐层减小；所述第一有源层的生长压力为200‑350torr，所述第二GaN垒层的生长压力为100‑200torr，所述第二InGaN阱层的生长压力的取值范围为100‑180torr，所述第一有源层的生长速度与所述第二有源层的生长速度之比大于1且不大于4，所述第一有源层的厚度为90‑180nm，所述第二有源层的厚度为50‑90nm。
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