[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法及外延片有效
| 申请号： | 201510393534.X | 申请日： | 2015-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN105098004B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;陈柏松;胡加辉;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：
依次在衬底上生长低温缓冲层、未掺杂GaN层、N型层；
在所述N型层上交替生长第一InGaN阱层和第一GaN垒层，形成第一有源层；
在所述第一有源层上交替生长第二InGaN阱层和第二GaN垒层，形成第二有源层；
依次在所述第二有源层上生长电子阻挡层、P型层；
其中，所述第二有源层的生长压力低于所述第一有源层的生长压力，所述第二有源层的生长速度低于所述第一有源层的生长速度，所述第二有源层的厚度小于所述第一有源层的厚度；沿所述发光二极管外延片的生长方向，所述第二InGaN阱层的生长压力逐层降低，所述第二InGaN阱层的生长速度逐层变慢，所述第二InGaN阱层的厚度逐层减小；
所述第一有源层的生长压力为200-350torr，所述第二GaN垒层的生长压力为100-200torr，所述第二InGaN阱层的生长压力的取值范围为100-180torr，所述第一有源层的生长速度与所述第二有源层的生长速度之比大于1且不大于4，所述第一有源层的厚度为90-180nm，所述第二有源层的厚度为50-90nm。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第一InGaN阱层、所述第一GaN垒层、所述第二InGaN阱层、以及所述第二GaN垒层的层数之和为24-36。
3.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第一InGaN阱层和所述第一GaN垒层的层数之和为12-24，所述第二InGaN阱层和所述第二GaN垒层的层数之和为4-12。
4.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、电子阻挡层、P型层，其特征在于，在所述N型层和所述P型层之间依次生长第一有源层、第二有源层，所述第一有源层由交替生长的第一InGaN阱层和第一GaN垒层形成，所述第二有源层由交替生长的第二InGaN阱层和第二GaN垒层形成；
其中，所述第二有源层的生长压力低于所述第一有源层的生长压力，所述第二有源层的生长速度低于所述第一有源层的生长速度，所述第二有源层的厚度小于所述第一有源层的厚度；沿所述发光二极管外延片的生长方向，所述第二InGaN阱层的生长压力逐层降低，所述第二InGaN阱层的生长速度逐层变慢，所述第二InGaN阱层的厚度逐层减小；
所述第一有源层的生长压力为200-350torr，所述第二GaN垒层的生长压力为100-200torr，所述第二InGaN阱层的生长压力的取值范围为100-180torr，所述第一有源层的生长速度与所述第二有源层的生长速度之比大于1且不大于4，所述第一有源层的厚度为90-180nm，所述第二有源层的厚度为50-90nm。
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