[发明专利]多芯片封装结构、晶圆级芯片封装结构及其制程

摘要

本发明提供一种多芯片封装结构、晶圆级芯片封装结构及其制程，其中多芯片封装结构，包括第一芯片、至少一阻挡结构、多个第一导电凸块、第二芯片、多个第二导电凸块及底填胶。第一芯片具有芯片接合区、多个位于芯片接合区内的第一内接点以及多个位于芯片接合区外的第一外接点。阻挡结构配置于第一内接点与第一外接点之间，且环绕第一内接点。第一导电凸块配置于第一外接点。第二芯片覆置于芯片接合区且具有多个第二接点。第二导电凸块位于第一内接点与第二接点之间。底填胶位于第一芯片与第二芯片之间以包覆第二导电凸块，以避免影响到第一导电凸块与线路板之间的电性连接品质。

主权项

1.一种多芯片封装结构，其特征在于，包括：第一芯片，具有芯片接合区、多个位于所述芯片接合区内的第一内接点以及多个位于所述芯片接合区外的第一外接点；至少一阻挡结构，配置于所述第一芯片的所述芯片接 合区以外的区域上，且于该些第一内接点与该些第一外接点之间，并环绕该些第一内接点；多个第一导电凸块，配置于该些第一外接点上；第二芯片，覆置于所述芯片接合区上，且所述第二芯片具有多个第二接点；多个第二导电凸块，位于该些第一内接点与该些第二接点之间，各所述第一内接点分别通过对应的所述第二导电凸块与对应的所述第二接点电性连接；底填胶，位于所述第一芯片与所述第二芯片之间以包覆该些第二导电凸块，其中所述阻挡结构包括金属层；第一绝缘层，配置于所述第一芯片上并且暴露出该些第一内接点以及该些第一外接点；重布线路层，配置于所述第一绝缘层上并与该些第一内接点电性连接；以及第二绝缘层，覆盖于所述第一绝缘层以及所述重布线路层上以暴露出部分的所述重布线路层以及该些第一外接点，其中该些第二导电凸块通过所述重布线路层与该些第一内接点电性连接，其中所述第二绝缘层包括第一部分以及第二部分，所述第一部分覆盖所述重布线路层上并且暴露出部分的所述重布线路层，而所述第二部分为所述阻挡结构的至少其中一部分，且所述第一部分与所述第二部分之间维持间隙，所述第二部分与所述第一导电凸块之间具有间隙。