[发明专利]一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构在审

专利信息
申请号: 201510392318.3 申请日: 2015-07-06
公开(公告)号: CN104993008A 公开(公告)日: 2015-10-21
发明(设计)人: 王军;唐荣;陈沛成;谢盼云;吴雪飞;吴志明 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L31/101 分类号: H01L31/101;H01L31/0352
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 李明光
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于太赫兹探测及成像领域,提供一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,应用于太赫兹探测系统中,位于太赫兹源与红外探测器之间;该结构包括透明衬底、透明衬底上依次设置的红外发射层、金属反射层和吸收层;所述吸收层由若干个“十”字型吸收单元周期性排列构成,每个吸收单元由相互交替设置的介质层和金属图形层构成,吸收单元顶层为金属图形层、与金属反射层之间为介质层。本发明的提供太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,能够在设计的THz频点达到太赫兹波吸收率90%(带宽1THz),同时实现将太赫兹辐射转换为红外辐射,供红外探测器工作,从而实现太赫兹探测,利用成熟的红外探测技术实现高分辨率和高灵敏度的太赫兹探测。
搜索关键词: 一种 赫兹 辐射 转换 红外 器件 结构
【主权项】:
一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,其特征在于,该器件结构包括透明衬底、透明衬底上依次设置的红外发射层、金属反射层和吸收层;所述吸收层由若干个“十”字型吸收单元周期性排列构成,每个吸收单元由相互交替设置的介质层和金属图形层构成,吸收单元顶层为金属图形层、与金属反射层之间为介质层。
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