[发明专利]一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构在审
| 申请号: | 201510392318.3 | 申请日: | 2015-07-06 |
| 公开(公告)号: | CN104993008A | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
| 发明(设计)人: | 王军;唐荣;陈沛成;谢盼云;吴雪飞;吴志明 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0352 |
| 代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 李明光 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 本发明属于太赫兹探测及成像领域,提供一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,应用于太赫兹探测系统中,位于太赫兹源与红外探测器之间;该结构包括透明衬底、透明衬底上依次设置的红外发射层、金属反射层和吸收层;所述吸收层由若干个“十”字型吸收单元周期性排列构成,每个吸收单元由相互交替设置的介质层和金属图形层构成,吸收单元顶层为金属图形层、与金属反射层之间为介质层。本发明的提供太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,能够在设计的THz频点达到太赫兹波吸收率90%(带宽1THz),同时实现将太赫兹辐射转换为红外辐射,供红外探测器工作,从而实现太赫兹探测,利用成熟的红外探测技术实现高分辨率和高灵敏度的太赫兹探测。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 赫兹 辐射 转换 红外 器件 结构 | ||
【主权项】:
一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,其特征在于,该器件结构包括透明衬底、透明衬底上依次设置的红外发射层、金属反射层和吸收层;所述吸收层由若干个“十”字型吸收单元周期性排列构成,每个吸收单元由相互交替设置的介质层和金属图形层构成,吸收单元顶层为金属图形层、与金属反射层之间为介质层。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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