[发明专利]一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构

权利要求书

1.一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构，其特征在于，该器件结构包括透明衬底、透明衬底上依次设置的红外发射层、金属反射层和吸收层；所述吸收层由若干个“十”字型吸收单元周期性排列构成，每个吸收单元由相互交替设置的介质层和金属图形层构成，吸收单元顶层为金属图形层、与金属反射层之间为介质层。

2.按权利要求1所述太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构，其特征在于，所述吸收单元中，每层金属图形层形状相同，尺寸不同。

3.按权利要求1所述太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构，其特征在于，所述吸收单元的尺寸为10～30μm，线宽为1～3μm。

4.按权利要求1所述太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构，其特征在于，所述吸收单元中金属图形层数目大于等于3；金属图形层材料为金、银或铝，每层厚度为50～200nm；介质层材料为氮化硅、氧化硅或聚酰亚胺，每层厚度为1-3μm。

5.按权利要求1所述太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构，其特征在于，所述金属反射层材料为金、银或铝，厚度为50～200nm。

6.按权利要求1所述太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构，其特征在于，所述红外发射层材料为石墨，厚度为5～10μm。

7.按权利要求1所述太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构，其特征在于，所述透明衬底为玻璃或聚合物膜。