[发明专利]一种新技术制备缓冲层以提高铜铟镓硒太阳能电池的光电转换效率在审
申请号: | 201510391523.8 | 申请日: | 2015-07-06 |
公开(公告)号: | CN105140359A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 刘德昂;谢承智;钱磊 | 申请(专利权)人: | 苏州瑞晟纳米科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/12 | 分类号: | H01L33/12;H01L21/02 |
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地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 铜铟镓硒(简称CIGS)薄膜太阳能电池由于其诸多优点,成为最有发展潜力的太阳能电池技术。在CIGS制备过程中,常常使用化学水浴法来制备硫化镉(CdS)作为缓冲层,本发明提出一种新的技术在使用化学水浴法制备缓冲层的过程中可以提高铜铟镓硒太阳能电池器件的光电转换效率。这种方法是在用化学水浴法制备缓冲层薄膜的时候,对于反应溶液进行超声处理。超声处理可以促进金属离子到铜铟镓硒吸收层的掺杂,在铜铟镓硒吸收层的表面形成反型层,减少载流子在界面的复合。另外超声处理还可以减小疏松的硫化镉大颗粒在薄膜表面的沉积,提高缓冲层薄膜的致密性。实验证明,采用本发明中提出的技术制备缓冲层使得铜铟镓硒太阳能电池的光电转换效率得到了提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 新技术 制备 缓冲 提高 铜铟镓硒 太阳能电池 光电 转换 效率 | ||
【主权项】:
本专利提出一种制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池中缓冲层的技术,可以提高铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光电转换效率:即在使用化学水浴法制备缓冲层的时候,在沉积反应进行的同时,对溶液进行超声处理。这样可以促进金属离子到铜铟镓硒吸收层中的掺杂,并提高缓冲层的光滑和致密性,从而提高铜铟镓硒太阳能电池的光电转换效率。
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