[发明专利]Co@SiNBC陶瓷材料的制备方法

摘要

Co@SiNBC陶瓷材料的制备方法，它涉及一种陶瓷材料的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的Co@PDCs材料工艺复杂、合成条件有局限性的技术问题。本方法一、合成聚硅硼氮烷；二、制备钴金属配合物晶体；三、制备陶瓷前驱体；四、将陶瓷前驱体放入管式炉中，保温，然后随炉冷却至室温，即得。本发明反应条件温和，操作简单，产率较高，污染少。本发明的Co@SiNBC陶瓷材料为灰色固体，在200～800nm可见光区均有紫外吸收，室温下以330nm在激发波长显示出良好的荧光性能，表现出了良好的光学半导体特性。本发明应用于硅基功能陶瓷材料领域。

主权项

Co@SiNBC陶瓷材料的制备方法，其特征在于Co@SiNBC陶瓷材料的制备方法按照以下步骤进行：一、将硅氮源或硅源与氮源的混合物、硼源、缚酸剂和溶剂放入具有惰性气体保护的反应器中，室温条件下反应16h，合成聚硅硼氮烷，其中硅氮源与硼源的摩尔比为(1～3):1，硅氮源与溶剂的摩尔比为1:(2～5)，硅氮源与缚酸剂的摩尔比为1:3；二、向钴盐的水溶液里添加乙二胺，通空气3小时使其氧化，过滤后在水浴锅上蒸发浓缩至溶液有晶膜出现，加入浓盐酸和乙醇的混合液没过晶膜，浓盐酸和乙醇的混合液中浓盐酸与乙醇的物质的量比为1:2，进行冷却，即可得到钴金属配合物晶体；三、将聚硅硼氮烷与钴金属配合物晶体按照(15～27):3的质量比球磨，氧化铝磨球与聚硅硼氮烷与钴金属配合物晶体总质量按照质量比1:(8～20)的球料比，球磨12个小时，使其混合充分，得陶瓷前驱体；四、将陶瓷前驱体放入管式炉中，在温度为800～1600℃、惰性气氛下保温0.5～2小时，然后随炉冷却至室温，即得到Co@SiNBC陶瓷材料。