[发明专利]一种高PID抗性的高效多晶多层钝化减反射膜结构

摘要

本发明涉及一种高PID抗性的高效多晶多层钝化减反射膜结构，包括在多晶硅片衬底正表面自下而上依次设置且折射率递减的底层SiNx层、中间层SiNx层、单层或多层光学优化层SiNx层以及顶层光学优化层SiOxNy层；其总膜厚为70～135nm，总折射率为1.95～2.20。本发明基于传统多晶硅电池工艺，只改变钝化减反射膜的膜质结构，可与传统晶硅电池工艺兼容，对普通刻蚀设备和PECVD设备稍加改造后即可生产，无特殊要求，易于实现，适用于规模化生产，也可运用于一些先进电池工艺，如背钝化电池、N型双面电池、MWT电池等。

主权项

一种高PID抗性的高效多晶多层钝化减反射膜结构，其特征在于：包括在多晶硅片衬底正表面自下而上依次设置的底层SiNx层、中间层SiNx层、单层或多层光学优化层SiNx层以及顶层光学优化层SiOxNy层；所述的底层SiNx层、中间层SiNx层、单层或多层光学优化层SiNx层以及顶层光学优化层SiOxNy层的折射率递减；所述的底层SiNx层、中间层SiNx层、单层或多层光学优化层SiNx层以及顶层光学优化层SiOxNy层的总膜厚为70～135nm，总折射率为1.95～2.20；所述的底层SiNx层、中间层SiNx层以及单层或多层光学优化层SiNx层均采用PECVD法制备，且上述SiNx层的折射率依次降低；所述的底层SiNx层的折射率为2.15～2.35，厚度为4～15nm；所述的中间层SiNx层的折射率为2.10～2.30，厚度为10～25nm；所述的单层或多层光学优化层SiNx层的折射率为1.95～2.25，厚度为20～65nm；所述的顶层光学优化层SiOxNy层采用PECVD法将含氧气体与SiH4、NH3一起沉积而成；其膜厚为15～60nm，折射率为1.6～1.95。