[发明专利]一种高PID抗性的高效多晶多层钝化减反射膜结构

权利要求书

1.一种高PID抗性的高效多晶多层钝化减反射膜结构，其特征在于：包括在多晶硅片衬底正表面自下而上依次设置的底层SiN_x层、中间层SiN_x层、单层或多层光学优化层SiN_x层以及顶层光学优化层SiO_xN_y层；所述的底层SiN_x层、中间层SiN_x层、单层或多层光学优化层SiN_x层以及顶层光学优化层SiO_xN_y层的折射率递减；所述的底层SiN_x层、中间层SiN_x层、单层或多层光学优化层SiN_x层以及顶层光学优化层SiO_xN_y层的总膜厚为70～135nm，总折射率为1.95～2.20；所述的底层SiN_x层、中间层SiN_x层以及单层或多层光学优化层SiN_x层均采用PECVD法制备，且上述SiN_x层的折射率依次降低；所述的底层SiN_x层的折射率为2.15～2.35，厚度为4～15nm；所述的中间层SiN_x层的折射率为2.10～2.30，厚度为10～25nm；所述的单层或多层光学优化层SiN_x层的折射率为1.95～2.25，厚度为20～65nm；所述的顶层光学优化层SiO_xN_y层采用PECVD法将含氧气体与SiH₄、NH₃一起沉积而成；其膜厚为15～60nm，折射率为1.6～1.95。