[发明专利]通过公共导电层将多个半导体器件层电耦合的方法和装置有效
| 申请号： | 201510388592.3 | 申请日： | 2015-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN105244336B | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | M·斯坦丁;A·罗伯茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L25/16;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 实施例提供用于通过公共导电层将多个半导体器件层电耦合的方法和装置。一种组件包括第一层压电子部件和第二层压电子部件。第一层压电子部件包括第一电介质层、嵌入在第一电介质层中的至少一个第一半导体管芯和包括第一导电过孔的至少一个第一接触焊盘。第二层压电子部件包括第二电介质层、嵌入在第二电介质层中的至少一个第二半导体管芯和包括第二导电过孔的至少一个第二接触焊盘。第一导电过孔通过公共导电层被电耦合至第二导电过孔。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 公共 导电 层将多个 半导体器件 耦合 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种组件，包括：第一层压电子部件，包括第一电介质层、嵌入在所述第一电介质层中的至少一个第一半导体管芯和包括第一导电过孔的至少一个第一接触焊盘，以及第二层压电子部件，包括第二电介质层、嵌入在所述第二电介质层中的至少一个第二半导体管芯和包括第二导电过孔的至少一个第二接触焊盘，其中所述第一导电过孔通过公共导电层被电耦合至所述第二导电过孔，其中所述第一层压电子部件还包括被定位在所述第一层压电子部件的上侧上的第三接触焊盘和第四接触焊盘，并且其中所述第二层压电子部件被布置在所述第一层压电子部件的所述上侧上并被设置在所述第三接触焊盘与所述第四接触焊盘之间。
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