[发明专利]一种制备纳米级金属网格透明导电薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种制备纳米级金属网格透明导电薄膜的方法，包括如下步骤1)在一基板上形成一层金属薄膜；2)在所述的金属薄膜上涂覆一层紫外光敏感的光刻胶，其中光刻胶中随机均匀分散有纳米线，其中纳米线对紫外光不透明；3)平行紫外光照射光刻胶表面，纳米线遮盖区域下的光刻胶未被曝光，而未被纳米线遮盖区域下的光刻胶被曝光，显影后，光刻胶形成随机网格；4)刻蚀掉曝光区域的光刻胶和金属膜，得到纳米级随机排列的金属网格，其中金属网格线相互连接，形成透明的导电薄膜。本发明利用纳米线作为掩模，克服了在大尺寸掩模板上制作纳米级图形的困难，实现了纳米级的随机网格的图形化，工艺简洁，有利于卷对卷大面积量产。

主权项

一种制备纳米级金属网格透明导电薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在一基板上形成一层金属薄膜；2)在所述的金属薄膜上涂覆一层紫外光敏感的光刻胶；3)在所述光刻胶上涂抹一层高透光树脂，其中所述高透光树脂中随机均匀分散有纳米线，其中纳米线对紫外光不透明；4)平行紫外光照射高透光树脂表面，纳米线遮盖区域下的光刻胶未被曝光，而未被纳米线遮盖区域下的光刻胶被曝光，显影后，光刻胶形成随机网格；5)去除高透光树脂，刻蚀掉曝光区域的光刻胶和金属膜，得到纳米级随机排列的金属网格，其中金属网格线相互连接，形成透明的导电薄膜。