[发明专利]一种制备纳米级金属网格透明导电薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备纳米级金属网格透明导电薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在一基板上形成一层金属薄膜；

2)在所述的金属薄膜上涂覆一层紫外光敏感的光刻胶，其中光刻胶中随机均匀分散有纳米线，其中纳米线对紫外光不透明；

3)平行紫外光照射光刻胶表面，纳米线遮盖区域下的光刻胶未被曝光，而未被纳米线遮盖区域下的光刻胶被曝光，显影后，光刻胶形成随机网格；

4)刻蚀掉曝光区域的光刻胶和金属膜，得到纳米级随机排列的金属网格，其中金属网格线相互连接，形成透明的导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种制备纳米级金属网格透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述基板为PET、PET、PC、PEN、PP、PS或者PMMA；所述金属薄膜的材料为Cu、Ag、Al、Ti或者Ni，其厚度为10nm-500nm。

3.根据权利要求1所述的一种制备纳米级金属网格透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述光刻胶为正性光刻胶，解析度小于200nm。

4.根据权利要求1所述的一种制备纳米级金属网格透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述纳米线的直径为100nm-500nm，长度为1um-1mm，包括纳米纤维、纳米银线、纳米铜线或者氧化硅纳米线。

5.一种制备纳米级金属网格透明导电薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在一基板上形成一层金属薄膜；

2)在所述的金属薄膜上涂覆一层紫外光敏感的光刻胶；

3)在所述光刻胶上涂抹一层高透光树脂，其中所述高透光树脂中随机均匀分散有纳米线，其中纳米线对紫外光不透明；

4)平行紫外光照射高透光树脂表面，纳米线遮盖区域下的光刻胶未被曝光，而未被纳米线遮盖区域下的光刻胶被曝光，显影后，光刻胶形成随机网格；

5)去除高透光树脂，刻蚀掉曝光区域的光刻胶和金属膜，得到纳米级随机排列的金属网格，其中金属网格线相互连接，形成透明的导电薄膜。

6.根据权利要求5所述的一种制备纳米级金属网格透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述基板为PET、PET、PC、PEN、PP、PS或者PMMA；所述金属薄膜的材料为Cu、Ag、Al、Ti或者Ni，其厚度为10nm-500nm。

7.根据权利要求5所述的一种制备纳米级金属网格透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述光刻胶为正性光刻胶，解析度小于200nm。

8.根据权利要求5所述的一种制备纳米级金属网格透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述高透光树脂为水性纳米聚酯树脂。

9.根据权利要求5所述的一种制备纳米级金属网格透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述纳米线的直径为100nm-500nm，长度为1um-1mm，包括纳米纤维、纳米银线、纳米铜线或者氧化硅纳米线。