[发明专利]一种可提高多量子阱复合效率的LED外延结构在审
| 申请号： | 201510384347.5 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106328785A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 郑建钦;田宇;曾颀尧;吴真龙;林政志;赖志豪 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226015 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种可提高多量子阱复合效率的LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明从下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱、电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层。其结构特点是，所述多量子阱由InxGa(1‑x)N/AlN/GaN多量子阱所构成，其中0<x<0.2。所述多量子阱包括8‑12周的生长周期，生长压力为100‑300Torr，在氮气环境中生长。多量子阱的一个周期从下至上包括依次交替生长的GaN层、AlN层和InGaN层。同现有技术相比，本发明通过应变增加相分离来提高复合效率，从而提高LED效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 多量 复合 效率 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种可提高多量子阱复合效率的LED外延结构，从下至上依次包括衬底（1）、GaN缓冲层（2）、未掺杂GaN层（3）、N型GaN层（4）、多量子阱（5）、电子阻挡层（6）、P型GaN层（7）和P型接触层（8），其特征在于：所述多量子阱（5）由InxGa(1‑x)N/AlN/GaN多量子阱所构成，其中0<x<0.2，所述多量子阱（5）包括8‑12周的生长周期，生长压力为100‑300Torr，在氮气环境中生长；多量子阱（5）的各周期从下至上包括依次交替生长的GaN层（9）、AlN层（10）和InGaN层（11）。
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