[发明专利]微波退火工艺在审
| 申请号： | 201510378908.0 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105047560A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 付超超;吴东平;王言 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种微波退火工艺。本发明中，在功能层的第一表面和/或第二表面上形成均匀覆盖的高吸收层，借助高吸收层对微波的高吸收作用，一方面保证对功能层的均匀热传导，克服了非接触式效率低下的问题；另一方面，因为高吸收层与功能层对应，并且高吸收层自身质量极小，其自身消耗的微波能量相较于前述方式极大的减小，提高了能量的利用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 微波 退火 工艺 | ||
【主权项】：
一种微波退火工艺，其特征在于，包含以下步骤：提供待处理的功能层；在所述功能层上形成高吸收层；对所述功能层和高吸收层进行微波退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
