[发明专利]微波退火工艺

权利要求书

1.一种微波退火工艺，其特征在于，包含以下步骤：

提供待处理的功能层；

在所述功能层上形成高吸收层；

对所述功能层和高吸收层进行微波退火。

2.如权利要求1所述的微波退火工艺，其特征在于，所述功能层包含相互平行设置的第一表面和第二表面，所述高吸收层形成在所述第一表面和/或第二表面上，在所述高吸收层形成的步骤中，在所述高吸收层与所述功能层之间，形成隔离层。

3.如权利要求1或2所述的微波退火工艺，其特征在于，对所述高吸收层进行图形化处理。

4.如权利要求1或2所述的微波退火工艺，其特征在于，在形成所述高吸收层之后，对所述高吸收层进行局部减薄处理，使所述高吸收层一部分区域厚度薄于另一部分区域厚度。

5.如权利要求1或2所述的微波退火工艺，其特征在于，采用多次淀积及掩膜的方式，获得一部分区域厚度薄于另一部分区域厚度的高吸收层。

6.如权利要求2所述的微波退火工艺，其特征在于，所述隔离层的材质为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

7.如权利要求1所述的微波退火工艺，其特征在于，所述高吸收层材质为导体、具有高电导率的掺杂半导体或在微波工艺频率下对微波具有高吸收的绝缘体。

8.如权利要求1所述的微波退火工艺，其特征在于，所述高吸收层采用以下任意一种方式淀积而成：

溅射、电镀、旋涂、蒸发、化学气相沉积、原子层淀积或分子束外延淀积。

9.如权利要求1所述的微波退火工艺，其特征在于，所述功能层为III-VI族半导体材质或金属氧化物半导体材质。

10.如权利要求1所述的微波退火工艺，其特征在于，还包含以下步骤：

在微波退火工艺之后，使用物理或化学方法去除所述高吸收层。