[发明专利]制备高性能TFT的方法在审
| 申请号： | 201510378906.1 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105118776A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 付超超;吴东平;王言 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3205;H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体管制造领域，公开了一种制备高性能TFT的方法。本发明中，在活化层上形成金属层且对活化层进行离子掺杂之后，再采用微波退火工艺对掺杂离子进行激活，借助金属层对微波的高吸收作用，提高了微波退火工艺的效率，并且成本低廉，有利于进行量产。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 性能 tft 方法 | ||
【主权项】：
一种制备高性能TFT的方法，其特征在于，包含步骤：提供衬底，在所述衬底上依次形成活化层、介质层和图形化的金属层；对所述活化层进行离子掺杂；采用微波退火工艺进行处理，激活掺杂在所述活化层的离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
