[发明专利]制备高性能TFT的方法

权利要求书

1.一种制备高性能TFT的方法，其特征在于，包含步骤：

提供衬底，在所述衬底上依次形成活化层、介质层和图形化的金属层；

对所述活化层进行离子掺杂；

采用微波退火工艺进行处理，激活掺杂在所述活化层的离子。

2.根据权利要求1所述的制备高性能TFT的方法，其特征在于，所述图形化的金属层形成步骤包括：

在所述介质层上形成金属层；

在所述金属层上涂覆光阻，并对所述光阻进行曝光和显影，形成图形化的光阻；

使用干法或湿法工艺刻蚀所述金属层，形成图形化的金属层。

3.根据权利要求1所述的制备高性能TFT的方法，其特征在于，所述图形化的金属层形成步骤包括：

在所述介质层上使用带有图形的硬掩膜淀积金属，直接形成图形化的金属层。

4.根据权利要求1所述的制备高性能TFT的方法，其特征在于，所述图形化的金属层形成步骤包括：

在所述介质层上形成金属层；

使用聚焦离子束直接对所述金属层进行刻蚀，形成图形化的金属层。

5.根据权利要求1所述的制备高性能TFT的方法，其特征在于，所述图形化的金属层形成步骤包括：

在所述介质层上涂覆光阻；

对所述光阻进行曝光和显影，形成图案化的光阻；

在所述图案化的光阻及介质层上形成金属层；

采用剥离技术形成图案化的金属层。

6.根据权利要求1所述的制备高性能TFT的方法，其特征在于，在形成所述金属层之后，采用微波退火工艺使所述活化层结晶。

7.根据权利要求1所述的制备高性能TFT的方法，其特征在于，所述金属层材质为Mo、Al或重掺杂多晶硅。

8.根据权利要求1所述的制备高性能TFT的方法，其特征在于，在形成介质层之后，形成图案化金属层之前，进行沟道注入，对所述活化层进行掺杂。

9.根据权利要求1所述的制备高性能TFT的方法，其特征在于，在图案化金属层形成之后，进行源漏注入。

10.根据权利要求1所述的制备高性能TFT的方法，其特征在于，所述活化层为非晶硅。

11.根据权利要求9所述的制备高性能TFT的方法，其特征在于，所述活化层采用物理或化学工艺形成，所述物理工艺为溅射或蒸发，所述化学工艺为增强型化学气相沉积。

12.根据权利要求9所述的制备高性能TFT的方法，其特征在于，在形成所述活化层之前，在所述衬底上形成缓冲层，所述活化层形成在所述缓冲层表面。

13.根据权利要求1所述的制备高性能TFT的方法，其特征在于，所述衬底为无机材料或有机材料，所述无机材料为单晶硅或玻璃，所述有机材料为聚酰亚胺或环氧树脂。