[发明专利]一种高度择优取向的锐钛矿型TiO2纳米管阵列膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510378068.8 申请日: 2015-06-29
公开(公告)号: CN105013459B 公开(公告)日: 2017-04-05
发明(设计)人: 徐光青;王金文;张旭;吕珺;吴玉程 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: B01J21/06 分类号: B01J21/06;B01J35/02
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 代理人: 何梅生
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种高度择优取向的锐钛矿型TiO2纳米管阵列膜及其制备方法,其特征在于TiO2纳米管阵列膜中的锐钛矿相具有强烈的择优取向,其(004)晶面大致平行于阵列膜表面。本发明的高度择优取向的TiO2纳米管类似于准单晶结构,相比较常规的多晶TiO2纳米管具有低的缺陷复合中心,光生电子空穴复合几率低,从而具有更高的光电转化效率和更高的光催化、光电化学活性。
搜索关键词: 一种 高度 择优取向 锐钛矿型 tio2 纳米 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高度择优取向的锐钛矿型TiO2纳米管阵列膜的制备方法,所述锐钛矿型TiO2纳米管阵列膜中的锐钛矿相具有(004)晶面择优取向,是将钛箔基底在含HF酸的电解液中进行阳极氧化处理后,再经煅烧晶化获得,其特征在于:所述钛箔基底为存在表面织构的钛箔,由钛箔经冷轧获得。
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