[发明专利]一种高度择优取向的锐钛矿型TiO2纳米管阵列膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201510378068.8 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN105013459B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 徐光青;王金文;张旭;吕珺;吴玉程 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | B01J21/06 | 分类号： | B01J21/06;B01J35/02 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高度 择优取向 锐钛矿型 tio2 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高度择优取向的锐钛矿型TiO2纳米管阵列膜，其特征在于：所述锐钛矿型TiO2纳米管阵列膜中的锐钛矿相具有(004)晶面择优取向。
2.一种权利要求1所述的高度择优取向的锐钛矿型TiO2纳米管阵列膜的制备方法，是将钛箔基底在含HF酸的电解液中进行阳极氧化处理后，再经煅烧晶化获得，其特征在于：所述钛箔基底为存在表面织构的钛箔，由钛箔经冷轧获得。
3.如权利要求2所述的高度择优取向的锐钛矿型TiO2纳米管阵列膜的制备方法，其特征在于：所述阳极氧化所用的含HF酸的电解液为含HF酸的乙二醇溶液，其中HF的浓度为0.1～1mol/L，氧化电压为50～200V，氧化时间为1～20h。
4.如权利要求2所述的高度择优取向的锐钛矿型TiO2纳米管阵列膜的制备方法，其特征在于：所述煅烧晶化的煅烧温度为350～600℃，保温时间为2～10h。
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