[发明专利]具有包覆膜的半导体集成电路器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201510370000.5 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN105742485A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 吴尚哲;朴海赞;李世昊 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体集成电路器件及其制备方法。该半导体集成电路器件包括电阻层和包覆膜，所述包覆膜被形成以环绕电阻层的外壁。所述包覆层包含氧吸收组分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 包覆膜 半导体 集成电路 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路器件，包括：电阻层；以及包覆膜，被形成以环绕所述电阻层的外壁，其中所述包覆膜包含氧吸收组分。
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