[发明专利]具有包覆膜的半导体集成电路器件及其制备方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年12月26日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2014-0190936的韩国专利的优先权，其整体内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体集成电路器件及其制备方法，且更具体地，涉及一种具有包覆膜的半导体集成电路器件及其制备方法。

背景技术

随着移动和数字信息通信及电子消费行业的快速发展，对于目前的电荷控制的电子器件的研究可能遭受限制。因此，需要开发不同于目前的电荷控制的电子器件的新的功能存储器件。特别地，需要开发具有高容量、超高速度和超低能耗的新一代存储器件。

将使用电阻材料的阻变存储器被提议作为新一代存储器。阻变存储器包括相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻型RAM(ReRAM)、以及磁阻型RAMs(MRAM)等。

阻变存储器可以包括包含开关器件和电阻器件的存储单元，并可以依据电阻器件的设置/复位状态来储存数据‘0’或者‘1’。

即便在电阻型存储器中，最优先的是要提升集成密度(也就是在有限区域里集成尽可能多的存储单元)。

构成电阻器件的阻变层(例如相变层)可以以各种结构形成。相变层的形状可以通过图案化或者掩埋法来定义。

在定义相变层的形状的过程中，可能发生氧化，从而相变层的材料性质可能改变。

发明内容

各种实施例涉及一种具有包覆膜的半导体集成电路器件及其制备方法，能够通过阻止氧气流动进入电阻层来降低电阻层的材料性质的变化。

依据一个实施例，半导体集成电路器件可以包括电阻层和包覆膜，包覆膜被形成以环绕电阻层的外壁。包覆膜可以包含氧吸收组分。

依据一个实施例，半导体集成电路器件可以包括多个电阻柱、多个包覆膜以及间隙填充绝缘层。包覆膜被形成以环绕各电阻柱，每个包覆膜包括氧吸收层；间隙填充绝缘层填充在电阻柱之间。

依据一个实施例，一种制备半导体集成电路器件的方法可以包括：在基底层之上形成多个电阻柱，以及形成多个包覆膜以环绕各电阻柱，每个包覆膜包括氧吸收层。

在下面标题为“具体实施方式”的部分描述这些及其他特征、方面和实施例。

附图说明

从接下来结合附图进行的详细的描述，将会更加清楚地理解本发明的主旨的以上及其他的方面、特征和其他优点，其中：

图1是说明依据本发明构思的一个实施例的半导体集成电路器件的剖面图；

图2是说明依据本发明构思的一个实施例的半导体集成电路器件的平面图；

图3是说明依据本发明构思的一个实施例的半导体集成电路器件的剖面图；

图4是说明依据本发明构思的一个实施例的半导体集成电路器件的剖面图；

图5到11是说明一种制备依据本发明构思的一个实施例的半导体集成电路器件的方法的剖面图；

图12到14是说明一种制备依据本发明构思的一个实施例的半导体集成电路器件的方法的剖面图；

图15是说明依据本发明构思的一个实施例的一种存储卡系统的示意图；

图16是说明依据本发明构思的一个实施例的一种电子系统的框图；

图17是说明依据本发明构思的一个实施例的一种数据储存装置的框图；以及

图18是说明依据本发明构思的一个实施例的一种电子系统的框图。

具体实施方式

下面将参照附图来对典型实施例进行更加详细地描述。此中，参照作为典型实施例和中间结构的示意图的剖面图来描述典型实施例。这样，由例如制备技术和/或容限导致的插图的形状的变化是可以预期的。因此，典型实施例不应局限于此处图示的区域的特定形状，而可以包括由于例如制备导致的形状上的偏离。在图中，为了阐明，可能对层和区域的长度和尺寸进行了夸张。图中相似的附图标记表示相似的元件。还应当明白，当一层被称作位于另一层或者衬底‘上’时，其可以直接位于另一层或者衬底上，或者可以存在中间层。

本发明构思在此处是参照本发明构思的理想实施例的示意图的剖面图和/或平面图来描述的。然而，本发明构思的实施例不应被认作是用来限制发明构思的。尽管本发明构思的少量实施例将会被展示并描述，本领域普通技术人员应该明白，在不背离本发明构思的原则和精神下可以在这些典型实施例中做出修改。

图1是说明依据本发明构思的一个实施例的半导体集成电路器件的剖面图。图2是说明依据本发明构思的一个实施例的半导体集成电路器件的平面图。